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[参考译文] CSD95410RRB:TAO 输出电容负载

Guru**** 1630180 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS536C7, TPS53688, CSD95430
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1182527/csd95410rrb-tao-output-capacitance-loading

器件型号:CSD95410RRB
主题中讨论的其他器件:TPS536C7TPS53688CSDCSD95430

您好!

对于 CSD95410、CSD95495等、数据表为 TAO 输出指定了高达470pF 的最大容性负载。
但是、作为 TPS546C7等控制 器、建议功率级 TAO 输出具有适用于1nF 电容的电容占位符、而控制器 xTSEN 输入则通过2.2nF 电容器进行噪声去耦。
最坏的情况是、12相设计最终可能会在由最高温度功率级驱动的 TAO 线路上产生15nF 电容。

实际的功率级电容驱动限制是多少?
可承受性?

控制器/功率级数据表是否可以对齐?

谢谢你

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    您好、Cosmin、

    您在数据表中的什么位置看到了这种情况? 在 TPS536C7数据表中、我看到 ATSEN 输入端有一个1nF 电容。

    谢谢、

    特拉维斯

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    您好、Travis、

    TPS536C7 SLLUSDI9 2020年9月9日、第43页上的7.4.10  
    TPS53688 SLUSCY8 2020年9月8日、8.4.8第50页

    EVM 本身在 CSD 上具有100pF 电容、在控制器上具有1nF 电容、但不符合470pFmax 要求-如果这是限制、则单个470pF 电容应位于控制器引脚上

    谢谢你

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    您好、Cosmin、

    我将按照控制器数据表中的建议、在功率级的控制器+电容器选项上为1.0-2.2nF。 我从未见过 TSEN 线路上电容过大的情况导致了问题。 话虽如此、我不知道真正的极限是什么。 如果它很重要、我可以要求功率级人员在1月初检查这个问题。

    谢谢、

    特拉维斯

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    您好、Travis、

    明白了、 在此之前、我也有相同的想法、当时 能够在驱动中使用12相、每相最多4个 CSD95430功率级、这突出了需要研究和了解功率级的实际限制-它可以成为纸张路径中的有效设计鉴定项目。

    虽然理论上可能会将 C7 "推"到48功率级设计中、但驱动20个功率级的10相设计是实际应用。  

    因此、请在新的一年继续进行调查。

    快乐的假期和新年!

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    Cosmin、大家好、 新年快乐!  

    TAO 驱动电容本身不存在稳定性限制。 此建议旨在使功率级能够快速驱动 TAO 以进行故障报告。 控制器将在 TAO > 2.5V 时的~250ns 内识别故障。 CSD95410中的内部上拉电阻约为110欧姆至3.3V。