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[参考译文] LMG3422R030:内部 GaN HEMT#39;s 信息

Guru**** 2439560 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R030

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1182443/lmg3422r030-inner-gan-hemt-s-information

器件型号:LMG3422R030

你好。 团队。

我通过 LMG3422R030器件构建逆变器。 我必须知道一些热特性。

我需要构成 LMG3422R030器件的 GaN FET 的参数值来对功率损耗进行建模。

mΩ、在[具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 LMG342xR030 600V 30m Ω GaN FET ]文件中、没有有关 GaN FET 的详细信息。

例如、

具有栅源电压的栅极电荷特性(用于获取米勒电压、VPL)

GaN FET 的跨导、

等等。

所以。 我会询问有关"GaN FET"(LMG3422R030中)型号名称或信息的信息。

非常感谢您的阅读。

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    您好、Lee、

    我们支持此器件的应用工程师在年终休假期间不在办公室。 当他们回来时、他们会作出响应。

    此致、

    Don

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    感谢您的耐心等待、

    在对我们器件的栅极电荷功率损耗进行建模时、我们请客户参阅相应数据表中器件的集成栅极驱动器特性和功率损耗。 对于跨导、我们请客户参考我们的 I-V 曲线、在该曲线中可以估算跨导以进行计算。 我们的 LMG3422R030数据表尚未使用 I-V 曲线进行更新;但是 、我们的 LMG3522R030数据表 确实具有适合此应用的 I-V 曲线、以及我们建议用于功率损耗计算的 I-V 曲线。

    此致、

    扎赫

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    感谢您的回复。

    我的问题得到了解决。 非常感谢。