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[参考译文] TPS1H100-Q1：通过串行电阻器提供保护

admin
Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS1H100-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/733353/tps1h100-q1-for-protection-with-serial-resistor

器件型号：TPS1H100-Q1

大家好、

-。 在 TPS1H100-Q1数据表中、您能否解释 有关以下要点的更多详细信息？

7.3.4.10 MCU I/O 保护

"此外、为了适当地防止 GND 损失、TI 建议在使用3.3V MCU I/O 时使用4.7k Ω；10k Ω 适用于5V 应用。

-。  它使用4.7k Ω 的原因是什么？ 如果使用较高的电阻器、 预期的问题是什么？

谢谢、

Sam Lee

 

谢谢、

Sam Lee

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    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    如图43中的方框图所示、TPS1H100 I/O 引脚具有 ESD 二极管。 MCU 引脚也具有 ESD 二极管/体二极管。 在 ISO 脉冲、电池或接地损耗等干扰情况下、GND 和 I/O 引脚上可能会出现正或负电压尖峰。 ESD 二极管可能是正向偏置或分压。 电阻器的作用是限制两种情况下的电流循环、并保护 TPS1H100 I/O 和 MCU。
    在3.3V MCU 上使用更高电阻器没有问题。 建议将4.7K 与3.3V 电压搭配使用、以确保 TPS4H100 I/O 引脚在任何情况下都能从 MCU 接收正确的逻辑电平。 例如、MCU I/O 上的压降、内部下拉电阻变化和整个温度范围内的逻辑电平容差。

    此致