大家好、
一个简短的问题。
TLV733的 Cout 允许多大的电容及其 ESR?
从根本上说、这一信息对于保持 P 型 LDO 的输出稳定非常重要、但数据表中没有任何说明。
还是 N-DMOS 架构也用于 TLV733、以下应用手册中对此进行了介绍?
http://www.ti.com/lit/ml/sbvy001/sbvy001.pdf
此致、
Takashi Onawa
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大家好、
一个简短的问题。
TLV733的 Cout 允许多大的电容及其 ESR?
从根本上说、这一信息对于保持 P 型 LDO 的输出稳定非常重要、但数据表中没有任何说明。
还是 N-DMOS 架构也用于 TLV733、以下应用手册中对此进行了介绍?
http://www.ti.com/lit/ml/sbvy001/sbvy001.pdf
此致、
Takashi Onawa
你好,Takashi,
作为一种无电容器设计、TLV733P 专为使用小型陶瓷电容器或根本没有电容器的应用而设计。 虽然我们确实建议使用1uF 或更大的陶瓷电容器来提高交流性能(PSRR、瞬态性能等)、但我们建议输出电容不应超过100uF。 由于 TLV733P 是针对陶瓷电容器设计的、因此低 ESR 不是问题。 ESR 的上限由 ESR 零点(1 /(2 x PI x ESR x Cout))设置。 对于稳定的系统、您需要确保 ESR 零点超出 LDO 的带宽。 对于 TLV733P、请确保 ESR 零点超过10kHz。
与任何线性稳压器一样、我们建议在监测示波器上的输出电压的同时执行最坏情况的负载瞬态测试、以确定所选电容器是否适合您的应用。 EVM 可用于帮助进行此原型测试。
非常尊重、
Ryan