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[参考译文] LM5060:高侧负载开关设计

Guru**** 2362840 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060, LM5069, BQ76925
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/636814/lm5060-high-side-load-switch-design

器件型号:LM5060
主题中讨论的其他器件: LM5069BQ76925

大家好、我正在使用高侧负载开关、在选择合适的 IC 时需要帮助。 以下是我的要求:

  • 我想在背靠背配置中使用两个 N-MOSFET (正常工作电流将为5A 左右)
  • 3.3V 电平兼容、高阻抗使能输入
  • 禁用时的静态电源电流(启用时为0V)必须小于50uA
  • 启用时的电源电流可能只有几 mA
  • 使用使能输入进行禁用时、MOSFET 放电速度非常快
  • 最大输入电压为22V
  • 我将使用两个具有连接输出的电路(类似于电源 ORing、但由 MCU 控制)  

我发现 LM5060几乎满足除 MOSFET 放电时间以外的所有要求-它只有2.2mA 的灌电流对栅极放电。 我认为对于两个30nC 栅极来说、速度不够快-即使使用一些小型串联电感器来限制 di/dt、输出短路时的功率损耗也会损坏 MOSFET。 (由于灌电流较小、我不想使用0.5mH。。。) 此外、其中一个电源将是锂离子 akupack、并且过长的短路可能会带来危险/不健康。

您会推荐哪种器件/电路作为解决方案?

非常感谢。

Tomas

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    LM5060故障下拉= 80mA。  如果短路、这将下拉栅极。  但是、在短路期间没有电流限制、只有故障超时。  因此、输出端的直接低 Z 短路很可能会损坏 FET。  LM5069在电路保护方面的工作效果会好得多、但它具有高达650uA 的更高 Iq (禁用时)、Brian  e2e.ti.com/.../LM5069-app-note-reverse-voltage-snva683.pdfe2e.ti.com/.../LM5069-Rev-Volt-EVM-slvuaa1.pdf

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    您好、感谢您的回复。 遗憾的是、650uA 静态电流是不可接受的、因为其中一个电源将是锂离子电池组。 在电池管理中、我使用的是 BQ76925、它集成了过流比较器、最大响应时间为100us 我开始认为它不够快、因此我必须在负载开关电路中处理它。 TI 还有其他解决方案吗? (低 IQ、具有快速短路保护)

    非常感谢。

    Tomas Pitner

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    Tomas、

    50uA 范围内无任何内容。  最接近的是 TPS249x @ 250uA。  不确定它是否适用于 B2B FET

    Brian