[参考译文] LM5145：IC 发热严重

您好、Raymond、

为了减小空载输入电流、请使用较低的 Qg MOSFET 并检查电感器纹波电流(保持低于35%以降低磁芯损耗)。

此致、

Tim

顺便说一下、您可以将 NC 引脚连接到 GND、以便更好地散热 IC。 FB 上无需齐纳二极管。 此外、根据数据表中的建议、在 ILIM 处添加一个小电容。

在降低 NL 电流方面、还应考虑降低 Fsw。

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Tim

您好、Raymond、

请发送一个完整的快速入门计算器、以便我查看设计。

此致、

Tim

您好、Raymond、

MOSFET 看起来不错、它是一个很好的低侧 FET。 但是、如果 D < 50%、则可以为高侧 FET 使用较高的 Rdson、较低的 Qg 器件。 这将减少开关和栅极驱动损耗并减小空载输入电流。

此致、

Tim