[参考译文] LM34923：芯片和外壳之间的热阻

您好、Charlie、

从 DS 的第7页开始、有一组有关结温的热性能信息、这些信息与一系列不同的功能相关。 如果您向我提供一些有关客户应用(VIN/VOUT/IOUT/环境)的信息、我们可能能够缩小器件将在何种温度下运行。

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：

实际上、我的客户在测试过程中发现了一些问题。 因此、我希望您能帮助解决以下问题：

 1. T2和 T3是否有最大限制？

2. 在测试 LM34923的过程中、芯片的平均输出电压比设计电压高约3%、高于预期。 FB 引脚和反馈电阻器之间串联了一个1k 电阻器、如下图所示、测量并计算电阻器两端的电压、以发现 FB 引脚上存在82uA 的偏置电流。 同时、替换了一个普通芯片来测量偏置电流、偏置电流仅为8.3nA。

此外、有问题芯片的偏置电流也是在演示板上测量的、它的偏置电流也大约为83uA、这明显高于规范提供的典型值1nA。

只有1个芯片有这样的问题。 您以前遇到过这样的情况吗？ 我们应该如何解决这个问题？ 谢谢。

此致、

Charlie

您好、Charlie、

1. DS 中没有针对 T1和 T2列出的限制。 它取决于为 VCC 电容器充电所需的时间。

2.当 R22短接时、电压与设计电压的距离有多远？ 影响它的因素有很多、包括反馈电阻器上1%的容差、具有2.5%裕度的 FB 基准电压、以及1KOhm 电阻器上的压降。

至于偏置电流、我们仅列出典型值、而不列出最大值。 除了3%的输出电压差之外、输出电压调节还有其他问题吗？  

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：

感谢您的支持。

您在上面提到过、1KOhm 电阻器上的压降将影响输出电压精度。 但是、如果电流为1nA、R22上的压降非常小、可以忽略它、对吧？

偏置电流如此大的原因可能是什么？

既然反馈点的偏置电流如此之大、是否可以判断芯片已损坏？ 谢谢。

此致、

Charlie