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[参考译文] LM2592HV:自构建以太网供电开关电源

Guru**** 670100 points
Other Parts Discussed in Thread: LM2592HV
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/691283/lm2592hv-self-built-power-over-ethernet-switching-supply

器件型号:LM2592HV

你好。

我开发了一款可由24V 和以太网供电运行的器件。

5.0V 时的功耗为1.5-2A (峰值)、因此我决定采用 LM2592HV-5.0。

我生产了50个原型、所有这些原型都与47uH 电感器完美配合。  现在、我开始了系列生产、当器件连接到 PoE 时、几乎每个 LM2592HV 都会立即损坏、而在24V 直流电下工作正常。

仔细阅读数据表、我注意到当工作电压高于40V 时、必须特别注意电感器。  使用 PoE 时就是这种情况、那么48V 是正常的。  因此、我最终将电感器增加到了100uH。 这一点现在肯定是绰绰有余的。 我还在输入电容器中添加了一个 TVS 二极管、以确保电压永远不会超过55V (仍为5V 备用电压)。

不过、在10种情况中的9种情况下、LM2592HV 在 PoE 上以几分之一秒的速度去世。

希望有人能帮我。 目前、我并不需要 PoE、但它会使生活变得更加轻松。

我制作了原理图的屏幕截图:

简短描述:一开始只有25k 与 PoE 电源并联。 这是指定1类所需的电阻。 仅当输入电压上升至48V 时(在我无法连接如此高的负载或具有关断功能的 PoE 电源之前)、才会启用 MOSFET。 现在、整个开关电源已通电并开始工作。  由于24V 不会触发 MOSFET (-> 24V 齐纳二极管)、因此必须关闭 JP3才能在12..40/60V 范围内的任何输入电压下运行器件。

这是我的 PCB 布局的屏幕截图。 蓝色是底部、红色是双面 PCB 的顶部:

由于我需要5.0V 和3.3V 电压(仅100mA)、我使用低压降线性稳压器(MAX882)从5.0V 生成3.3V 电压。 在布局中、您可以找到我在50个原型中使用的47uH 电感器。 我将其替换为82uH 和100uH、这使情况略有改善、但仍远离 LM2592HV 的可靠工作而不会损坏。


我希望有人能帮我解决这个问题。 我在设计中没有发现任何故障。

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    Rainer、

    感谢您的联系。 这是高故障率和显著的故障模式。 让我们来了解原因。

    您说它在24V 电压下工作。 您能否缓慢地将 VIN 从24V 斜升至48V 并监控5个引脚? 确保没有超过绝对最大值

    Sam

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    我目前正处于时间压力下工作、必须完成第一个订单。 此时我将完成它(剩余5个)、我将从生产中为它修复已分类的电路板。

    我将制作一个焊点而不是跳线、因此任何人都无法意外地移除跳线。

    当这份第一份订单完成并交付时、我可以从过度生产中取出一个电路板并使用它。 我必须先完成订单。

    我了解您想要了解的内容。 您需要查看此损坏是由电压增加过快还是由电压本身造成的。

    我现在使用的电容器可能很重要:

    输入电容器... 电解220uF/100V (Chong、CD11X)

    输出电容器... 电解220uF/16V (Rubycon)

    LM2592HV-5.0是从中国的可靠来源购买的。 您可以在下面找到打印内容的图片。  希望这不是欺骗产品(我的供应商被自己欺骗)。 我的供应商以100%全新和原始的价格出售。

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    Rainer、

    我们建议通过授权经销商购买 TI 器件。 如果我们不确定您的产品是否是我们的产品、我们无法保证产品正常工作。

    也就是说、是的、请在您有时间使用电路板时告诉我。 请告诉我您的发现。 )

    谢谢、
    Sam
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    你好、Sam。

    同时、我完成了第一批订购器件、因此我现在有一些时间。

    您建议我缓慢增大电压、看看会发生什么情况。 我将使用我的实验室电源来实现它。 它是唯一能够提供该高电压的器件。

    什么更适合加电?   缓慢上升或快速上升输入电压?
    正如您在我已经提供的原理图中看到的、我在 MOSFET 栅极上使用了一个电容器。 它已经将降低 MOSFET 的导通速度。 如果较慢的加电速度更好、我可以尝试找到一种使用钽电容器的方法(但根本没有太多空间)。 然后 MOSFET 将以更慢的速度导通、当然会比之前升温更多、但如果这有所帮助、这是可以的。 这是一个上电周期、然后 MOSFET 可以再次冷却。

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    Rainer、

    我的想法是在24V 电压下打开、然后保持打开、然后缓慢上升至48V。 检查引脚以查看是否违反了任何 ABS_max 规格。

    如果它在24V 电压下工作、但在48V 电压下损坏(问题是过压)、我们将看到24V 和48V 之间的过压。

    Sam
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    您好、Samuel。


    我会尝试这个。  我看到的主要问题是测量。  正常的数字万用表是否足够、或者我是否需要示波器?
    由于这是一款开关稳压器、因此我希望在高频开关信号的任何地方都能实现或多或少的效果。

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    Rainer、

    您将需要一个示波器来进行这些测量。 请告诉我您的发现。

    Sam
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    你好、Samuel。


    这对我来说有点问题、但我会尝试这样做。 问题是:每次尝试都意味着一个2592HV 损坏、另一个拆焊和重新焊接...所有这些都会在最短的时间内导致 PCB 丢失。 因此、我希望尽可能减少这种失败尝试是合理的。

    我将尝试使用我在前50个单元中使用的完全相同的电容器来设置 PCB。 它们的形状和值稍有不同。 也许这解决了问题、那么我知道2591对它们很敏感。 我一开始购买的是 ESR 非常低的电容器、而电流电容器看起来非常正常。 这可能是差异吗?

    我对2592HV 的灵敏度没有任何经验。 它是否可能会启动野生振荡、进而导致过压损坏它?
    由于唯一真正的区别是输入电容器、我将尝试使用我的第一个电容器之一。 我将 在本地订购一些器件、看看是否有任何差异。

    旧输入电容器(前50个串联电容器)为:
    Panasonic 270uF/63V  ø16mm x h=15mm (也写入了105°C [M]CE FC)

    电流输入电容为:
    Chong 270uF/100V ø13mm x h=21mm (也写入 CD11X -40-105°C)

    第一个串联的输出电容器为:
    FP 3YAa 221 (SO 220uF) 10 (10V) Ø10 x 13mm、带强密封罐。

    但我也使用了其他没有任何问题的方法。

    输出电容器现在为:
    220uF/50V Ø10 x 13.5mm

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    Rainer、

    我知道损坏电路板和 IC 耗时。 尝试设置 VIN=24V 并检查所有引脚。 然后尝试 VIN=26V... 高达 VIN=48V。

    关于电容器、电路板在24V 和48V 输入电压下与原始电容器完美配合吗? 如果电容器是从工作板变为不工作板的唯一变化、这可能是发生什么情况的线索。

    该 IC 没有软启动。 这意味着开启浪涌电流将高于其他具有软启动功能的转换器。 这将增加输入/输出上出现过冲/振铃的机会、具体取决于系统(电源、布局)。 您可以尝试 VIN=24V 并切换开/关引脚、并观察 IC 引脚以查看是否有任何过冲/振铃。

    我应该注意到、LM2592HV 具有一个开/关引脚、该引脚可以使用2个电阻器来提供与齐纳二极管和 MOSFET 电路相同的功能。 您可以将 IC 设置为在特定 VIN 下启用(并添加跳线以调节此值)。 请参阅数据表中的"延迟启动"。

    另请从 TI 授权经销商或直接在 store.ti.com 上从 TI 订购一些 IC。 我想确保您测试的是合法的 TI 器件。

    Sam

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    你好、Samuel。

    今天、我有时间在板上工作。 我将首先使用实验板上工作板上使用的相同电容器。如果可以、我节省了大量时间、然后我知道是哪个器件导致了问题。


    根据电源和开/关控制引脚...
    正是由于 PoE 的性质、它不允许超过1uF 的电流和启动时的电阻不能超过~25k。 这意味着输入电压由电源按三个步骤增加:

    1. 施加~10-12V 电压并测量流经连接器件的电流。 这是电源感应到大约25k 的存在。 这也解释了为什么此时不允许使用大电容器、这会导致错误的读数。 当未检测到有效电阻时、电源将停止此过程。
    2. 将电压增加到~24V、然后重复测量电阻器。 由于电压较高、现在可以更精确地完成此操作。 现在、它取决于测得的电阻、最大电流由电源提供。 我使用25k、这意味着0类(=最大功率)。
    3. 当协商了该类别并且所有内容仍在范围内时、电源会根据协商的类别将电压增加到~48V、并限制电流。 现在、该器件可以首次拉电流。

    这说明了我在讨论开始时使用原理图中的24V 齐纳+ MOSFET 的原因。 我使用 MOSFET 作为低侧开关、在启动期间导致电源自身没有负载(齐纳二极管在10-24V 下不导通)。 由于齐纳二极管、它连接了整个负载(包括 LM2592HV 的输入电容器!) 当电压超过25-26V 时、这是协商结束后的电压。 我实际上无法使用开/关引脚、并且已经连接了 LM2592HV、因为最大限制为1uF、远低于 LM2592HV 的要求。
    因此、当 LM2592HV 在 MOSFET 开始导通时开始工作时、输入电容上的电压将快速上升至48V (大约)。

    我要减少浪涌电流所能做的就是缓慢激活 MOSFET。 我可以使用更大的栅极电容器来实现这一点。 然后、MOSFET 将加热片刻(因为它会缓慢激活)、但在该时间用作串联电阻并限制电流。 但时间不多、SOT223-4封装的热容量有限。

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    Rainer、

    请告诉我您的发现。

    感谢您提供这些信息。 我现在了解您为什么需要该电路。

    Sam