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[参考译文] BQ24170：ACFET 烧录

admin
Guru**** 666050 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24170, CSD17313Q2, CSD17318Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/692804/bq24170-acfet-burning

器件型号：BQ24170
主题中讨论的其他器件： CSD17313Q2、 CSD17318Q2

您好！

我们的其中一个生产设计存在问题。 在我们的模型中、ACFET 晶体管(仅此晶体管)在电池充电几分钟后会烧坏、这是不可忽略的部分。
我们使用的设计几乎是您提供的评估板的一个碳副本、即我们遵循了 EVM 原理图。
在之前的帖子中、您表示将 CGD 从4、7nF 切换到1nF 可能会解决此问题
https://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/179/p/514921/1870979?tisearch=e2e-quicksearch&keymatch=ACFET#1870979

但是、我们在输入端使用的15V PSU 具有高容性、因此绝不会出现"热插拔"情况。
以下是我们的问题：

1) 1)您认为进一步降低 CGD 还是将其删除可以解决我们的问题？
2) 2)您是否有任何建议、无论是为了进一步识别问题、还是为与在 EVM 上执行的操作不同的设计建议？

感谢你的帮助。
此致、

  • 0
    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！

    您可以完全移除 CGD 以移除耦合器。 此外、请提供您拥有的当前原理图。 我们可能会在这里找到一些东西。

    为不良部件提供 CMSRC 和 ACDRV 上的电压。 还提供 VREF 和 REGN。

    此致、
    Steven
  • 0
    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！
    感谢您的回复。

    遗憾的是、由于 PCB 通过多个平面烧坏、"坏部件"无法加电...
    根据生产情况、晶体管在以前的故障中被替换、而这些故障不如这个关键、然后 PCBA 正常工作。 因此、我怀疑 bq24170在这里有直接原因。

    正如我们说过的、我们几乎使用 EVM 设计的"副本"。 www.ti.com/.../sluu463.pdf 第18页。 遗憾的是、我无法直接发布原理图、因为我需要特殊权限才能发布

    与 EVM 一样、我们使用 CSD17313Q2作为 ACFET 和 RBFET
    EVM 与我们的设计之间的显著差异如下：
    -热插拔钳位为2欧姆/1uF -请注意，这种情况不应发生，因为我们处于“一切都始终插上”的状态，即启动解决方案
    -15V 输入来自220AC/15DC 转换器、额定电流为4A 连续电流/5A 峰值最大电流、具有过载/过压保护功能
    -我们为3节电池充电(电池与 Vref 相连)
    -Q1被 IRLML2402取代
    -电池电容(C14/C15/C16)为45uF、而不是21uF
    - L1的额定电流为2.2uH /5.5A、而不是3.3uH
    - D2替换为 STPS340U

    请您就这些修改提供意见。
    同时、我们将删除 CGD 并希望它能解决问题
    感谢你的帮助。

    此致、

    编辑：更正了拼写错误。 PSU 输出为15DC、而不是25DC

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    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！

    我明白为什么你不能在这里附加、没有问题。 您能告诉我应用的输入电流、充电电流和系统电流是多少？ 对于输入 FET、输入电流可能过高。

    此致、
    Steven
  • 0
    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！

    我们在设计过程中计算了以下最大电流：
    I (Vin)= 4.7A 最大值
    I (电池充电)= 3A (最大值)

    实际上、在我们的应用中、I (Vin)不会超过4A (当然在电容器充电之后)、并且在大多数时间内都大约为3A (在几天前使用电流钳位和适当的感应电阻器进行测量)。 过流故障也是我们的第一个疑虑。

    此致、

  • 0
    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！

    我注意到、FET IRLML2402的连续漏极电流额定值小于1.5A、输入端的平均电流为3A、它们实际上可能超出其规格运行。

    我建议使用更靠近我们在 EVM 上使用的 CSD17313Q2 FET 的 FET (如 CSD17318Q2)：
    1. VGS =+/-10V
    2. 1nC < Qg < 10nC
    3、喷雨>= 5A
    4. VDS >= 30V
    5. Rdson < 30m Ω

    IRLML2402为：
    1. VGS =+/-12V
    2. QG = 2.6nC
    3、IDRain = 1.2A
    VDS = 20V
    5. Rdson = 250m Ω

    IDRain 和 Rdson 规格都是一个大问题、高 Rdson 会降低您的效率、漏极电流可能不足以满足您的应用需求。 VDS 在瞬态情况下也能保持裕度、30V 电压时、您应该会保持裕度。

    此致、
    Steven
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    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！
    感谢您的意见。

    Q1晶体管只是一种"反向输入保护"、因此我不确定为什么效率会成为该误用案例中的一个问题。 在 EVM 上使用 BSS138W、最大电流为200mA IRLML2402是应用程序的"超大尺寸"器件、已用于实用和可用性用途...

    就像您的 EVM 一样、我们已经将 CSD17313Q2用作 Q2和 Q3。 我们的问题来自 Q2 (CSD17313Q2)烧录。

    此致、
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    TI__Guru**** 666050 points
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    您好！

    我的差。 您是对的、这只是反向输入保护 FET、我将其误认为是输入 FET。 我认为、通过完全删除 CGD、将会有改进。 此外、我想补充的是、输出端针对3A 充电电流的建议电感器和电容为3.3uH 和20uF、这是环路稳定性所必需的(数据表的第24页)。

    此致、
    Steven
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    TI__Guru**** 666050 points
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    非常感谢！