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[参考译文] LM5060:MOSFET 栅极放电后的栅极引脚输出电压。

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/694316/lm5060-output-voltage-of-gate-pin-following-discharge-of-mosfet-gate

器件型号:LM5060

您好!

我计划在我的设计中使用 LM5060 N 沟道 MOSFET 高侧驱动器、我想知道当使能引脚被拉至低电平时、在2.2mA 放电后施加到栅极的输出电压是多少。

即栅极是否拉至 Vin 以防止 MOSFET 因超过-Vgsmax 而受损?

提前感谢您、

Andrew

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    尊敬的 Andrew:

    栅极将下拉至 IC GND。
    您的系统的最大电压和电流是多少? 您能否分享应用程序详细信息?

    此致、
    Rakesh
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    您好、Rakesh、

    电压范围为10至30 VDC、负载电流可高达40A。 由于该引脚被拉至 GND、我们将考虑使用一个分压器连接到 MOSFET 栅极、并使用一个二极管、其中阳极朝向 IC 的栅极引脚、阴极连接到 MOSFET 栅极。 这是否适用于 TI 芯片?

    最棒的

    Andrew

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    尊敬的 Andrew:

    您希望 MOSFET 在哪些条件下具有-Vgsmax? 栅极和 Vout 始终作为源极跟随器连接在一起、器件在 MOSFET 栅极不需要任何保护。
    请告诉我这是否回答了您的问题。

    此致、
    Rakesh