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[参考译文] BUF16821-Q1:应用问题

Guru**** 2493565 points
Other Parts Discussed in Thread: BUF16821-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/711502/buf16821-q1-application-questions

器件型号:BUF16821-Q1

大家好、

  下面列出了需要您帮助的 BUF16821-Q1应用问题、如下所示:

OUT1~OUT 和 VOCM 的时序规格是否施加 VS 后的输出?

2. 在 7.3.6 DIE_ID 和 DIE_REV 寄存器规格中。  无法在前一个示例中找到这个。 如何设置 DIE_ID 和 DIE_REV?  如何确定、设计和设置 Rev A 裸片到 Rev B 裸片?

3.该器件具有16倍非易失性存储器重写能力。 这是否意味 着此部件或 其他部件的重写生命周期为16?

此致、

艾伯特·李。  

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    您好!

    我已就这一请求通知了我们的专家。 请在7月25日前回复

    此致

    Shinya Morita

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    您好、Albert、

    1、所有 DAC 的时序在 Vs 应用后有效。 DAC 的需求与以设置所需电压

    2。DIE_ID 和 DIE_REV 是只读寄存器、它们是分配给器件和器件版本的数字。

    每个 EEPROM 寄存器最多可重写16次

    此致、
    Costin
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    大家好、Costin、

    谢谢。
    是否已将 Vs 中的时序序列的详细时间规格应用到 OUT1~OUT15和 VCOM 输出?

    2.对于 DIE_ID 和 DI_REV 问题。 如7.3.6 DIE_ID 和 DIE_REV 寄存器规格中的规格说明、确定 IC 裸片版本并将其从 A......等更改为 B 的条件和原因

    此致、
    艾伯特·李。
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    您好、Albert、

    让我检查一下它、然后返回给您。

    此致、

    Costin

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    您好、Albert、

    1、Vs 导通 和 OUTx 之间的延迟非常小、由 Vs 电源导通压摆率屏蔽。

    加电或复位后,Outx 电压为 内存电压,或 0.5*Vs,与  未对非易失性寄存 器进行编程的情况相比。

    您可以在随附的示波器图中看到 Voutx 几乎与 Vs 同时导通

    2. DI_ID 和 DI_REV 是只读寄存器,不能对它们进行写 操作。 REG 3Dhex 返回器件型号、Reg3Chex 返回器件版本

    此致、

    Costin