[参考译文] TPS543C20：引脚25至引脚27的电容器布局

你好，约翰-桑

感谢你的答复。

当修订版本(修订版 B)发生变化时、添加了一个说明、建议在引脚25 (PVIN)和引脚27 (GND)之间使用一个10nF 至100nF 的电容器、如下所示。

建议将该电容器放置在什么位置？ VDD 旁路电容器旁边是否正常？

由于还建议在 IC 附近使用引脚25 (PVIN)和引脚27 (GND)之间的电容器、请告诉我们建议的布局。

此致、

YUto Sakai

您好、John-San、

感谢你的答复。
当 PVIN 和 VDD 是共轨时、 我了解到 VDD 电容器靠近 IC、PVIN-GND 电容器紧邻 IC。

当 PVIN 和 VDD 是共轨时、我们了解到 VDD 电容器靠近 IC、PVIN - GND 电容器紧邻 IC。
此外、由于之前的帖子已消失、您能否向我展示新的 EVM 用户指南？

此致、
YUto Sakai  

萨凯-圣、

我不知道。  该 EVM 可为 PVIN 和 VDD 提供单独的电源。

您好、John-San、

很抱歉让你感到烦扰。

根据数据表 P.33、它显示"请勿将 PVIN 平面连接用于 VDD"。

我认为建议的布局不符合这一描述。 这是问题吗？

此致、

YUto Sakai

您好、John-San、

感谢你的答复。
当使用单独的走线对 PVIN-GND 电容器和 VDD-GND 电容器进行布线时、应将哪个电容器放置在 IC 中最靠近的位置？
您能与 TPS543C20团队确认吗？

此致、
YUto Sakai

萨凯-圣、

应用工程师希望了解您的输入电压、输出电压和输出电流、以便最好地放置电容器。  仅供参考、以后我将不再支持 TPS543C20。

您好、Sakai-San、

我叫 Kit Nguyen。 我支持此器件、并能够进一步帮助您。 John 已转发所有信息、并在 TI 内部与我进行了沟通。  我了解您对 VDD 偏置电容器和 Vin 偏置电容器的问题。  以下是一些反馈：

VIN 电容器：

1A)我看到您已经在引脚20和21旁边有一个小电容器。 该电容器(引脚20/21)具有更高的优先级、可减少上部 MOSFET 和下部 MOSFET 漏源极上的振铃。  此外、该电容器还将降低上 MOSFET 关断期间的振铃尖峰。

1b)引脚25至27电容器：该电容器将有助于缩短振铃持续时间。 请参阅附加 波形、了解这两个引脚上10nF 和不10nF 的比较情况。 波形显示了在12Vin/0.9Vin/500kHz/35A 条件下、上 FET 关断期间的 Vin 至 SW 电压(蓝色走线-引脚25/27处无10nF；引脚25/27处红色走线- 10nF)。 该电容器将有助于降低 VDS-SW 电压。

2. VDD 电容：该电容的用途是为 VREG (LDO 的输出) 和 LDO 的输入提供电荷。 我建议 将该 VDD 电容器的 GND 直接连接到引脚26、以实现与散热焊盘的最短距离。    该电容的 µF 与 EVM 用户指南中的电容、陶瓷、1 μ F、25V、+/-10%、 X5R、0402 (Murata GRM155R61E105KA12D)？ 该电容器可以放置在引脚25和26旁边。 然后是引脚25至27电容器。  在布局中、IC 和引脚25/27电容器之间似乎有足够的空间用于另一个0402电容器。 此外、接地侧 VREG 电容器需要与这些电容器具有相同的接地平面、如图所示。

问题：您的设计条件是什么：VIN、Vout、输出电流和 FSW？ 我可以指导您进一步更好地优化布局。

套件

e2e.ti.com/.../7444.Doc1.docx

您好、Kit-San、

很抱歉让你感到烦扰。
还有其他使用 TPS543C20的设计、我还想查看布局。
应优先将哪个 VDD 和引脚25-27电容器放置在最靠近 IC 的位置？

设计条件 如下。
・输入电压=12V、输出电压=0.72V、输出电流=68A (两相)、FSW=500kHz
・输入电压=12V、输出电压=1.2V、输出电流=22A、FSW=1MHz  
 
此致、
YUto Sakai

您好、Sakai-San、

由于输出电流仅为11A、因此您可以在底层放置引脚25/27电容器。  然后、将 VDD 偏置电容器放置在 IC 旁边的引脚26/27上。 此外、TI 还发布了该系列的25A 版本(TPS543B20)。  与 TPS543C20中的20V FET 额定值相比、TPS543B20具有25V FET 额定值。  

套件