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[参考译文] UCC28740:关于设计计算器工具

Guru**** 2493545 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/713472/ucc28740-about-design-calculator-tool

器件型号:UCC28740

大家好、

我的客户正在使用"设计计算器工具"进行仿真。

请告诉我以下内容。

问题1. 为什么初级和次级匝数会因交流输入整流后平滑电容器的容量而有很大差异?

问题2. 请告诉我 MOSFET VDS 的额定值公式。

它高于我的预期。Vds =(交流282V×√2)+(匝数比×输出电压)。

我的计算错误吗?

此致、

Kenji

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    您好 Kenji、

    感谢您关注 TI 解决方案。

    1. 您会发现理想的初级到次级匝数比取决于电压"Vbulkvalle"。 这是大容量电容器上预期的最小电压、考虑了这些电容器上的纹波。 当您减小这些电容器的值时、这些电容器上的电压纹波会更大、从而降低 Vbulkvalley、这将影响初级侧与次级侧的匝数比。
    2. MOSFET VDS 额定值还包括次级整流二极管的正向压降以及输出电流乘以反射回来的电感器的直流电阻。 您还会发现应用了一个1.3x 乘法器来获得最终的 VDS 额定值--这是为了使运行不接近 MOSFET 能够处理的最大值。

    此致、

    吴敏嘉

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    您好、Michael、

    感谢您的回答。
    是否可以告诉我 VDS 的特定 Excel 计算公式?

    此致、
    Kenji
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    您好 Kenji、

    公式为:

    Vds、额定电压=(Vbulk_max +(NPS *(Vout_CV + VF +(DCR_Lout * IOCC_target))))* 1.3

    在上面的公式中、输出电感器的直流电阻以毫欧表示。 如果您对公式中表示的变量有任何疑问、您可以通过搜索文档或使用公式栏左侧的下拉菜单(MS Office 2010)在 Excel 电子表格中找到这些变量。

    此致、

    吴敏嘉

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    您好、Michael、

    感谢您提供有用的信息。
    我将关闭此主题。如果我有什么东西、我想和您谈谈。

    此致、
    Kenji