[参考译文] BQ27750：安全寄存器值是有线的。

您好、Onyx、

感谢您的回复。

我想提供 bqstudio 屏幕-但我没有使用 bqstudio、尽管我安装了 bqstudio、但它无法解决问题。 此外、我没有使用标准 EV3200工具进行通信、因为我在实验室中没有这种工具。
接下来是我的设置：我将具有 TWI 接口的 cortex M4 MCU 和位于 TWI 顶部的 BQ27750EVM-837 +逻辑分析仪以及一些带负载的电池(LED +小电阻器具有更高电流)。

我已经移植了 SLUA801中的 gauge .c /.h、并为 TWI 通信实现了低级驱动程序。
它在读取时工作正常-这很好、但当我尝试写入/配置某个内容时、情况会发生错误。
我已开始调查问题的根源、并在上面写的"保留"状态中遇到安全位不确定性。

我的命令模式读数看起来不错、但我仍然无法配置监测计(我认为第一件事是"设计容量"值更新)、 但是、由于缺少真正优秀的 MCU 方法手册(如果您知道-请告诉我)而不使用 EV2300工具、因此我已经将这个想法堆栈。
我的读数是

getManufacturerAccess：0x0C02
getAtRate：0
getAtRateTimeToEmpty：65535分钟
getTemperature：2987 x0.1K
getVoltage：3806mV
getBatteryStatus：C0
获取电流：-61mA
getRemainingCapacity:2182mAh
getFullChargeCapacity：5191mAh
getAverageCurrent：-59mA
getAverageTimeToEmpty：2219 x15秒
getAverageTimeToFull：65535 x1分钟
getStandbyCurrent：-1mA
getStandbyTimeToEmptty：65535分钟
getMaxLoadCurrent：-500mA
getMaxLoadTimeToEmpty：262分钟
getAveragePower：-22mW
getInternalTemperature：2977 x0.1K
getCycleCount：0个周期
getRelativeStateOfCharge：43%
getStateOfHealth：97%
getChargeVoltage：4400mV
getChargeCurrent：4488mA
getDesignCapacity：5300 mAh

我对闪存值访问寻址的理解也很差、我已经阅读了一些有关闪存操作的 e2e 帖子、但仍然无法理解存储器寻址的方式。

如果我想访问"设计容量"
则分类为"电量监测"
子类是"设计"
BQ27750 RM 中提到的某些地址为0x4563 -该十六进制地址的含义是什么？

以及哪些参数应该传递给"gauch_write_data_class()函数以访问"design capacity"值？

我遇到了很多问题、没有合适的工具来解决这些问题、甚至没有足够的文档来自行解决问题。

感谢您的帮助和好建议。

此致、
Dmytro。

您好、Onyx、

还有一个更新、我已经成功密封了 IC、现在它回复了
CONTRAL_STATUS = 0x620D -对应于"密封"状态、但现在我无法知道如何将其重新使用。

我可能很快就能获得用于使用 TI 工具进行适当调试的 EV2300。
我想我已经知道了使用"设计容量"值进行通信的正确方法、但如果可能、我更希望听到您的解释、或者 MCU 忍者的超精细手册。

谢谢。
此致、
Dmytro。