• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 131 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS28225：用于栅极驱动的反向二极管

admin
Guru**** 2493545 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/712377/tps28225-reverse-diode-for-gate-drive

器件型号：TPS28225

你(们)好

客户假设在 FET 的栅极插入反向二极管、以减少振铃、如下图所示。

1。

通常、应为此类用例选择哪种二极管？

2.

如果在高侧和低侧都插入反向二极管和栅极电阻器、是否存在问题？

(仅插入到高侧是常用的？)

3.

关于反向二极管的使用、您能否告诉我们是否需要考虑某一点？

贝斯特雷加兹

  • 0
    TI__Guru**** 2493545 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、nana、

    很高兴听到您的声音、感谢您向我们介绍这种二极管选择。 我是一名应用程序人员、将为您提供帮助。
    该二极管旨在绕过栅极电阻器、以更快的速度将 FET 的栅极下拉至接地。 这意味着在关断期间、大多数功率耗散将在驱动器内部。 二极管的主要点是快速关断 FET、因此该二极管应具有较小的导通电阻、以实现较高的灌电流能力。 因此、将寄生电容保持在较低水平也是一个好主意。 低正向电压肖特基可用于限制米勒导通的风险、这样电流在关断期间将完全流经二极管而不是栅极电阻器。

    请查看 www.ti.com/.../slua618.pdf 的第3.4.1节
    谢谢、