If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
当 SR FET 关闭(启动时和极轻负载睡眠模式期间)时、FET 的固有"体二极管"充当整流器。 图13 (DS 的第11页)中 SR MOSFET 两端显示的二极管实际上是该 FET 的"体二极管"、因此表明二极管与 N 沟道 MOSFET 的标准符号是多余的。 实际上、当 SR FET 没有栅极驱动时、您可以想象只有二极管在那里、并且 MOSFET 和控制器"不可见"。
当 Vout 在启动期间从0V 上升时、SR 控制器在其 VDD 和 VS 引脚之间接收功率。 VD 仅是电压感应输入、不承载电流。 一旦 VDD-VS 达到 UVLO 导通阈值(~4.5V) 、控制器就会向 SR FET 提供栅极驱动脉冲、并且不再通过其"体二极管"传导。 无论 SR 位于输出绕组的负桥臂或正桥臂内、这种情况都是如此。
VS 引脚始终是控制器的"回路"、但也是 VDS 感应布置的一部分、因此 VS 应尽可能 靠近 FET 源极引脚进行连接、以最大程度地减小寄生电感、从而干扰精确的 VDS 关断阈值感应。 类似地、VD 应直接连接到 FET 漏极、以避免在往返 FET 的电流承载路径中包含任何杂散电感。
