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器件型号：TPS51200 您好！
让我谈谈 DDR3设计的 VTT 精度。
我有两个客户的问题。
问题1.
VVTT = VVDDQXR1/（R1+R2）
计算方法中是否正确？
问题2.
对于 Q1的计算方法、
考虑到 DDR 的 Vtt 电压容差的建议值为±2%时、
(0.75V±0.2％：0.735V～0.765V)
在 R1、R2：±1％精度、VVDDQ：±0.2V 精度条件下。
◇10.1KΩ 9.9KΩ r1=k Ω、r2=k Ω、VVDDQ=1.52V
VTT=0.7676V
◇9.9KΩ 10.1KΩ r1=k Ω、r2=k Ω、VVDDQ=1.48V
VTT=0.7326V
但是、可以看出、从计算结果中无法实现±2%。
・建议 R1和 R2为0.5%？
・请告诉我如何计算满温度和满负载范围下的 VTT 预期变化。
・请告诉我该器件本身 VTT 变化的原因。
此致、
Yusuke /日本地区
