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[参考译文] BQ34Z100-G1:FC 位未更新

Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/705682/bq34z100-g1-the-fc-bit-is-not-updated

器件型号:BQ34Z100-G1
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO

你(们)好
我已成功校准了铅酸电池参数。

我被困在学习周期的第三步、我的步骤如下:

1)将电池放电为空。 [RUP_DIS]位被置位。 (没关系)
2)放松5小时。 VOK 和[RUP_DIS]被清除。 (没关系)
3)将电池充满电。 (这是我的问题)。 此时必须设置 FC 位、但始终清除。 在校准步骤中、我为 FC 设置%=1充电。

如何更新 FC 位?
我附加了 数据闪存配置和电池数据表文件。

 根据数据表 、我使用的电池的"封装电流"值是多少?


提前感谢。

e2e.ti.com/.../Flash_5F00_Battery.rar

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    在这种情况下、很可能无法满足锥形电流条件。 如果是这种情况、则使用 bqStudio 日志文件进行确认会更容易。
    锥形电流设置位于数据闪存中("配置"、"充电终止"、"锥形电流"、"500"、"放大器")、并在您的 gg 文件中设置为500mA。
    我建议将其增加至750mA 甚至1000mA、以查看它将检测电荷逐渐减少的情况。
    此致、
    Swami
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    您好、Swaminathan Ramanathan、

    感谢您的回复。 我得到了它、我使用了100mA 的锥形电流。 但是、我一直在阅读有关 PBA 电池的文章、但这些文章没有讨论 FC 位。 当建议绕过 OCVTAKEN 位时,PBA 电池学习周期中的 FC 位有多重要?现在我的学习状态寄存器有问题。 根据我所附的文档、在步骤(d)中、学习状态必须为0x05、但 I'ts 0x04。

    a)将电池放电至空。
    b)放松5小时。
    c)将电池充满电。
    d)放松2小时。
    e)将电池放电至空。
    f)放松5小时。

    我附加了我的日志和数据存储器文件:

    e2e.ti.com/.../1638.DataMem-LOG.rar

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    PBA 的工作方式与正常单元格不同。 要获得 OCV、您需要先为其充电。 您将在首次充电时获取 DOD。 然后放松、直到 OCVTAKEN 被置位。 然后 DSG 一直到空、然后再次放松、直到 OCVTAKEN 被置位。 此时、您将获得 Qmax、更新状态将转至0x05。 然后重复此操作以获取 Ra 更新、更新状态将更改为0x06。 完成此操作后、学习周期即完成。