您好!
我的客户正在其系统中验证 BQ25895M。 您能不能再看看这个问题吗?
当我使用5V 输入扫描 VBATT 和 IBATT 时、我注意到电池路径上的一些电流/电压尖峰、我想更好地理解这些尖峰。 我已经能够使用电池仿真器和实际电池重现此问题。 尖峰似乎是随时间变化的、具体取决于 IBATT 和 VBATT 的值。 CV 阈值当前设置为4.35V、ICHG = 2.8A、I_IN = 3.25A (最大值)。
充电器看起来几乎会关闭所有高侧 FET 并将电流直接倾入电池。 这可能是一项可提高效率的功能、但我在数据表中没有看到这种行为、我们希望验证这是否为预期行为。
条件1: V_IN = 4.77V (CHG IN 时);I_IN = 1.771A;VBATT = 4.35V;IBATT = 1.75A (未观察到尖峰)
条件#2: V_IN = 4.65V (CHG IN);I_IN = 2.22A;VBATT = 4.29V;IBATT = 2.22A (具有0.45A PPK 峰值)
条件3: V_IN = 4.55V (CHG IN 时);I_IN = 2.61A;VBATT = 4.03V;IBATT = 2.61A (无尖峰)
有什么想法在特定充电电流下会导致这些尖峰? 这是预期的吗?
谢谢、
Chuchen