[参考译文] BQ77915：BQ77915高侧使用

您好 ESO、

为什么在参考设计中 CHG/DSG 为低侧有任何特殊原因？
BQ77915是使用低侧驱动器创建的。 这是其默认配置/设置。 对于我们发布的高侧器件(如 BQ76952)、为了在高侧使用 N 沟道 FET、IC 中集成了一个电荷泵。 我们还有一个 N 通道高侧驱动器 BQ76200、它能够转换来自 BQ77915的信号以驱动高侧 NFET。

能否使用连接到 CHG/DSG 引脚的 NPN 晶体管驱动高侧 PMOS？  
是的、 可以使用高侧 P 沟道 FET。 我们通常使用底部的信号 N 沟道 FET 来驱动 P 沟道 FET、我不太确定如何使用 NPN、但可能没关系。 下图显示了我们将如何实现 P 沟道 FET：

但是、在使用这些器件时、您必须记住、关断速度可能是一个问题、因为它可能很慢。 这对于 DSG FET 尤其成了一个问题、在这种情况下、可以切换高电流。 可能需要使用额外的组件来提高关断速度、因为我们不希望 RGS 过小、因为这会消耗过多电流。

以下是一些关断增强功能的示例：

• 无源晶体管(由单个电阻器偏置)-这些晶体管将具有增益、直到其关断、然后栅源电阻器(RGS)将继续降低电压
  • 可以是 NPN   — 激活的电流(这是最常用的电流、下面将显示一个示例)
  • 可为 NFET  — 电压激活

• N 通道 JFET -一种耗尽模式器件、如 JFET、将在没有偏置的情况下开启。

• 钳位晶体管—需要反相信号、偏置电流。

当 MOSFET 断开时、它们会短路、因此我能否使用 NPN 晶体管背对背驱动它们？ 我将添加一个保护二极管。
如果我理解正确、您意味着使用两个串联的 FET、这是我们之前看到的、以便在发生 MOSFET 故障时具有一些额外的冗余、 您建议添加两个串联的 DSG FET 和/或 CHG FET、以实现额外的冗余。

始终建议使用保护齐纳二极管、以便在高瞬态事件期间保护 FET 的栅极-源极。  您可能只需要使用单个信号晶体管来驱动两个 FET。

希望这对您有所帮助！ 如果还有其他问题，请告诉我们。

此致、

Luis Hernandez Salomon