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器件型号：BQ76930 您好！
我们正在 使用 bq76930开发锂离子电池管理系统。
我对 SYS_CTRL2寄存器中 DELAY_DIS 位的理解是
如果我们将 DELAY_DIS 位设置为1、它将绕过 OV、UV、OCD 和 SCD 延迟电路并创建零延迟(aprox。 250毫秒) 、这意味着 coloumb 计数器读数将在每250毫秒后可用。
2、如果我们将 DELAY_DIS 位设置为0、则会发生正常延迟
保护1至3寄存器用于设置 SCD、OCD、OV、UV、延迟。
我的问题是
a.当我将 DELAY_DIS 位设置为1时、SYS_STAT 寄存器中的故障位会发生什么情况？ 它是否会忽略保护寄存器的延迟设置并在每250ms 后更新所有位？ 还是忽略所有故障位？ 或者 当故障发生时、通过忽略延迟设置将相应的位设置为高电平？
B.什么是正常延迟？ 是否添加了所有延迟、这意味着在保护1-3寄存器中提供的所有延迟(SOC 延迟、OCD 延迟、OV 延迟、UV 延迟)之后、SYS_STAT 寄存器中的所有位都将更新？ 或者、当发生故障时、相应的位是否在延迟后设置为高电平、这是在保护寄存器中配置的？
C. 保护寄存器中配置的延迟行为是什么？
请参阅以下链接上的数据表
