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[参考译文] BQ25713：PMOS 耐受电压/BATDRV

admin
Guru**** 2529560 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1185061/bq25713-pmos-withstand-voltage-of-batdrv

器件型号：BQ25713

你(们)好  

/BATDRV 在工作时始终输出 VSYS-10V。 当客户使用 p-mos 时，哪个绝对栅源电压为-10V，是否有任何方法可以降低该承受电压？  例如添加齐纳二极管或 分压电阻器？  

期待您的回答。

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Nanxiao、

    用-20V 栅源极电压额定值替换 P-FET 是否更容易？ 齐纳二极管可能会增加功耗并产生一些副作用。

    此致、

    老虎

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Tiger

    p-mos 的选择在客户 的 Bom 中是固定的。 是否有添加 齐纳二极管或 分压电阻的建议方法？  

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Nanxiao、

    您可以尝试在 BATFET 栅极和源极之间添加一个齐纳二极管。 它应该起作用。 我们没有在 工作台上尝试过这种方法。  

    此致、

    老虎