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[参考译文] LMG1020:如何改善上升沿和下降沿波形

Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1020

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/707646/lmg1020-how-to-improve-the-rising-and-falling-edge-waveforms

器件型号:LMG1020

您好!

我使用 LMG1020来设计升压电路。 对上升沿的米勒效应非常明显。 您能给我一些关于如何改进上升沿和下降沿波形的建议吗?  下图显示了我的电路的布局和波形。  输入信号是50%的方波。

期待您的回复。 谢谢!

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    您好、

    欢迎使用 e2e! 感谢您询问 LMG1020。 我将使用应用程序 eng、并将帮助您解决问题。
    米勒区域会以高峰值电流被打败、或者找到一种方法、不会在 VDS ID 重叠较少的情况下很难切换 FET。 如果 SW 压摆过快、则可能导致 CGD 增大。
    您能否与我分享原理图的部分? 使用什么 FET?
    驱动器 IC 输出引脚或 FET 栅极源极引脚的波形?

    谢谢、
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    您好!

    除了 Jeff 提到的、以下是一些其他提示:

    1.请确保您具有最佳布局。 从屏幕截图中可以看出、您的栅极与驱动器之间仍有一定距离、并且您的去耦电容器也不会与驱动器引脚间距。 请参阅数据表中的参考设计和布局指南、以实现最严格的布局。

    2.对于测量、请参阅我们的 EVM 用户指南、了解进行信号探测的最佳方法。 请确保您没有接地线夹、这会导致波形严重振铃。 请使用尾纤测试点。 很多时候、波形噪声来自测量。

    我看到您正在使用 EPC2016。 GaN FET 通常具有非常小的 CGD、这意味着米勒平坦区非常短。 此外、我们的驱动器具有非常高的导通电流能力。 因此、您不应看到太多的米勒区域。

    希望这对您有所帮助。

    谢谢、此致、
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    我使用的 FET 是 EPC2016C。
    我展示的波形是 FET 栅极源极引脚的波形。
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    感谢你的答复。 我将尝试优化 PCB 布局。
    还有另一个问题。 我的电路中的驱动电阻 R3=R4=2欧姆。 我能否将2欧姆电阻更改为0欧姆、以缩短米勒平坦区。
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    此外、驱动 IC 在工作一段时间后非常热、然后整个板变得很热。 我不确定驱动器 IC 是否可以长时间工作。 您对此驱动 IC 的散热有什么建议吗?
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    您好、

    感谢您的更新、感谢 Lixing 为您提供帮助!

    驱动器可能仍在运行、并且在驱动器引脚上看不到栅极振荡。 除了增加开关节点上的电压摆幅的迹线电感、 我们需要限制 VDS 的压摆率、因为由于米勒效应、等于 CGD * dVgd/dt 的电流流入栅极、如果漏极电压摆幅太快、栅极上会出现大电流。 因此、我们需要通过增加几欧姆的导通电阻来缩短导通时间。 查看此应用手册以帮助选择栅极电阻器(www.tij.co.jp/.../slla385.pdf)

    如果您有任何疑问、请告诉我。
    谢谢、
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    您可以将 R3和 R4更改为0欧姆。 但也请注意寄生引起的过冲、您不会有太多的阻性阻尼。

    2. LMG1020的温升取决于您的频率。 该 IC 已在100pF 负载下针对30MHz 时的典型值进行了测试、我们尚未看到温度显著升高。

    谢谢、此致、
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    感谢您的回复!
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    好的。 感谢您的回复!