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[参考译文] BQ34Z100-G1：QEN 位与放大器；数据存储器

admin
Guru**** 2493175 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/706519/bq34z100-g1-qen-bit-data-memory

器件型号：BQ34Z100-G1
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO

设置 QEN 位后、是否可以更改数据存储器中的值？

几周以来、我一直在努力将如何使用该器件与一些有时不准确的信息分散在一起。 例如：7.3.3.1在步骤8中访问数据闪存(SLUSBZ5B-2015年1月- 2016年7月修订版)规定：

ꆰ 8. new_Pack_Configuration_MSB 的新值可以通过写入特定的偏移位置来写入。 例如，要将1字节的 new_Pack_Configuration_MSB 写入位于0x40的 Pack 配置(offset=0)，请使用命令(wr 0x4B new_Pack_Configuration_MSB)”

为什么它可以写入0x4B？...这是另一种转移性拼写错误吗？

在我多次尝试学习会话创建黄金文件的过程中、我启用了它。

在之前提到的文档7.3.1.2.15中，它启用了0x0021，它说：“一旦设置，[QEN]就不能被清除。 此命令仅在电量监测计未密封时可用，并且通常在系统测试完成后的最后一个生产步骤启用。”

这与 I2C/HDQ 一次性功能类似吗？...no 还会回来吗？ 它是否会从物理上熔断即使是完整的固件更新也无法使您从其返回的保险丝？ 是否在完全配置数据存储器之前启用了它？

我已仔细尝试将数据存储器中的默认“Lion”更改为“NiMH”，但迄今尚未成功。

以下是最近尝试的日志序列：--------------------------------------------------------

高级通信事务日志

时间戳、读/写、地址、寄存器、长度、 数据、

2018-07-0602:11:08931，WR，aa，00，2， 14 04

2018-07-0602:11:22200, WR , aa , 00, 2, 72 36.

2018-07-0602:11:37558，WR，aa，61，1， 00

2018-07-0602:12:04684，WR，aa，3E，1， 30

2018-07-0602:12:18870，WR，aa，3f，1， 01

2018-07-0602:12:31390, Rd , aa , 40,32, 62 71 33 34 7A 31 30 30 2D 47 31 0B 54 65 78 61 73 20 49 6E 73 74 2E 04 4C 49 4F 4E 00 00 00

2018-07-0602:13:02605, Rd , aa , 58, 5, 4C 49 4F 4E 00

2018-07-0602:13:24776, Rd , aa , 60, 1, E3

2018-07-0602:14:19561, WR , aa , 58, 4, 4e 69 4D 48

2018-07-0602:14:36356, Wr , aa , 60, 1, C9

2018-07-0602:14:44042，Rd，aa，60，1， E3

2018-07-0602:14:59451 , Rd , aa , 40,32, 62 71 33 34 7A 31 30 30 2D 47 31 0B 54 65 78 61 73 20 49 6E 73 74 2E 04 4E 69 4D 48 00 00 00 00

----------

以下是我随日志文件一起提供的注释：---

示例试用：将器件化学的“Lion”更改为“NiMH”；子类 ID 30，块1，偏移23，长度5

[*]= 0x6ea -> 0xEA (部分校验和)

[62 71 33 34 7A 31 30 30 2D 47 31 0B 54 65 78 61 73 20 49 6E 73 74 2E 04] 4C 49 4F 4E 00 00 00 -> E3 [旧]

Lion = 0x32

[62 71 33 34 7A 31 30 30 2D 47 31 0B 54 65 78 61 73 20 49 6E 73 74 2E 04] 4E 69 4D 48 00 00 00 --> C9 [新增？]

镍氢= 0x4c

(WR 0x00 0x14 0x04)--解封前2个字节

(WR 0x00 0x72 0x36)--第二个2字节

(WR 0x61 0x00)-- BlockDataControl()

(WR 0x3E 0x30)-- DataFlashClass()

(WR 0x3f 0x01)--块偏移 DataFlashBlock ()

(RD 0x40 0x20)--显示完整的32字节页

(RD 0x58 0x05)--只有5个字节

(RD 0x60 0x01)--读取校验和

(WR 0x58 4E 69 4D 48)-写入"镍氢"

(WR 0x60 0xC9)--写入新校验和

(RD 0x60 0x01)--读取校验和

(RD 0x40 0x20)--显示完整的32字节页

----

此组件已被设计到我们的电池电量监测计电路中、我的任务是实施固件。 …和沮丧之间存在一条很好的界线。这个项目是两个项目的。

我只是不能正确计算校验和吗？ 该文档建议、当我向0x60写入正确的校验和时、32字节缓冲区@ 0x40将被写入闪存。 我清楚地展示了更改缓冲区内值的能力、但无法更改校验和值并在数据存储器中更改内容。

如果您能深入了解如何使事情发挥作用、我们将不胜感激。

此致、

Steve

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Steve、
    我想我有一份应用手册、可以帮助回答您的一些问题： www.ti.com/.../slua801.pdf
    我认为数据存储器中的"Lion"是一个字符串、不应影响器件的行为。 但是、我建议在 bqStudio 中进行完整的器件设置、以避免在固件级别进行这些困难的更改。 bqStudio 可以在 I2C 或 HDQ 模式下导出 DataFlash 文件、您可以直接使用这些文件。
    此外、我只想确保。 您是否已经完成了识别您的 ChemID 的流程并完成了系统的校准和学习周期？ 我只想确保您在不执行这些必要步骤来确定关键器件设置的情况下、不会在固件级别配置所有寄存器。
    此致、
    Matt
  • 0
    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Matt、您好！

    感谢你的帮助。
    知道更改是安全的：我使用“Lion”来测试是否可以在数据存储器中更改*万物*。
    bqStudio 不会更改它们；低级命令不会更改它们。
    看来、一旦 QEN 位为 set...no、数据存储器就会发生更多变化！！！！！
    这有道理吗？ 如果为真：应在 ENABLE_IT 旁边有一个重要的警告。
    我用出厂映像刷新了器件，幸好……QEN 位很清楚！……这意味着有关这是一次性交易的说法不正确：要重置它：但是您必须重新刷新整个器件？……愿意接受风险的人还有其他方法吗？
    刷新后：bqStudio 现在可以按照规定更改数据存储器值。
    以下是我推荐的步骤：
    充分利用 bqStudio、首先设置数据存储器中的所有内容。
    请确保在常规场合进行"写-写-写"和"读-写"、以确认任何更改均已生效。
    一旦事情令您满意...退出软件；关闭设备电源；重新启动；验证您认为事情应该是什么样的。

    请勿 ENABLE_IT。

    保存存储器映像 file...call it Pre-Golden。
    如果您在学习过程中发现您在数据存储器中设置了错误、则此文件是您的起点。
    如果以后需要更改数据存储器中的内容：从保存的映像重新刷写；进行更改；再次学习；为下一个黄金映像保存结果。 黄金文件已设置 QEN、重新刷写设备将不允许您更改数据存储器。
    如果您需要为相同的化学成分更改单元数量：加载您最近的 Pre-Golden 并对数据存储器进行更改...另存为 New-Pre-Golden 并从此处执行操作。

    您的里程可能会有所不同。

    最好能得到 TI 的确认，这就是它的工作方式...否则我只能简单地观察和猜测。

    我*尝试*专注于原始 question...no，这不是总是成功的。

    此致、
    Steve
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    TI__Guru**** 2493175 points
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    您好、Steve、

    启用它不应阻止更改数据闪存的能力。 我认为必须有其他因素导致这个问题。 一种可能是器件仍处于密封状态(未成功进行密封)。 另一种可能是"Flash Update OK Voltage"参数设置为高于提供的电压(这在电压被分压的较高电芯数中很常见)。

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Matt、

    *不应该*，需要进行一些测试。 重新启用后，我将尝试一下。 我很确定设备报告为未密封，我知道我向它发送了 unseal 命令。 由于“闪存更新正常电压”实际上存储在闪存中，如果该值错误，则可能很难更改。

    再次感谢您的帮助。

    谢谢、

    Steve

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢 Steve、
    我将继续并关闭该线程。 请告诉我、下次启用该功能时、您是否仍然看到此问题。
    Matt
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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Matt、

    我启用了它、并运行了显示为成功充电/放电学习会话的内容。

    使用 bqStudio 1.3.86版、我可以轻松地将"Lion"更改为"NiMH "、而不会出现任何问题。

    因此、我要说您的 QEN 声明不会阻止对数据存储器的更改、这是_正确_！

    QEN 现已设置、我仍可以更改数据存储器值。

    不确定之前发生了什么、但不愿意花时间尝试和重复这种情况。

    我认为问题已经解决。

    感谢您的帮助、

    Steve

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    TI__Guru**** 2493175 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢 Steve。 听得非常好！