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[参考译文] LM5030:LM5030内部栅极驱动器规格。

Guru**** 649970 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5030
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1184210/lm5030-lm5030-internal-gate-driver-specifications

器件型号:LM5030

先生/女士,你好

对于我的推挽式转换器应用、我选择了 LM5030 (VSSOP 封装)。

结至环境电阻为158摄氏度/瓦、我认为这对于我的应用而言非常高。 我想进行功率计算(内部栅极驱动器侧的功率损耗),以查看获得的温度水平是否令人满意(更关注数据表中的热关断,表示为165摄氏度。) 。

您能否为我提供用于计算的内部栅极驱动器的 Rdson?

或者有关 IC 功率计算的任何应用手册也可以。

 

谢谢你

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    您好!

    您不需要内部驱动器的 Rdson、实际上内部驱动器是 Rdson 无法描述的电路。

    内部驱动器功耗可通过电压和流入驱动器的电流(Vcc)进行估算、以估算 IC 的平均功耗。 您需要使用外部 MOSFET 参数来帮助您进行估算。

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    好的、谢谢

    我想获取 IC 驱动 MOSFET 所耗散的功率。 要驱动的电流为0.3A。 为了驱动这种情况、我需要估算 IC 将消耗的功率。

    您能否提供与 IC 相关的任何功率计算?

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    您好!

    我相信您提到的0.3A 是峰值驱动电流。 如果是这样、您需要计算 Vcc 所需的电流、您需要知道 Fsw 和外部 MOSFET 栅极电荷参数。 获取电流后、将其乘以 Vcc 即可获得功率。

    您可以搜索互联网以获取如何根据您的 FSW 和 MOSFET 参数计算驱动功率的公式。

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    大家好、感谢我的问题得到解决。

    我想问一个不同的问题、所以在这里提出、因为我无法在论坛中发布问题。

    我的问题是在数据表中给出了一个指定的死区(135ns)。这个值是多少?  至于不同的占空比要求、所需的死区时间会发生变化吗? 您能否简单介绍一下这是如何工作的。 我也附上了一个波形供您参考。 我想知道是否会自动调整 TB。(在图中)

    非常感谢。

    很抱歉,问题已发布在此处。

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    我的问题是在数据表中给出了一个指定的死区(135ns)。这个值是多少?  至于不同的占空比要求、所需的死区时间会发生变化吗? 您能否简单介绍一下这是如何工作的。 我也附上了一个波形供您参考。 我想知道是否会自动调整 TB。(在图中)

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    我的问题是在数据表中给出了一个指定的死区(135ns)。这个值是多少?  至于不同的占空比要求、所需的死区时间会发生变化吗? 您能否简单介绍一下这是如何工作的。 我也附上了一个波形供您参考。 我想知道是否会自动调整 TB。(在图中)

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    您好!

    根据数据表、典型死区时间为135ns、整个温度范围内的死区时间为85ns 至185ns。 这些是固定的占空比、约为50%。 对于较小的占空比、额外的关断时间是由于转换器运行而不是死区时间设置的一部分。 它称为关断时间、而不是死区时间。