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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1184664/ucc28c40-about-total-power-dissipation
大家好、
数据表中介绍了总功耗、但此处的单位为°C/W 这表示什么？
此致。 Ryu
您好！
这是一个好问题、让我与团队进行仔细检查、并告诉您。
谢谢、
Sean / Ryu、
°C/W 是热 阻抗、用于确定作为功耗函数的最大温升。 当您乘以 °C/W*W 时，您得到温度上升，当您将由于功率耗散而产生的温度上升加到环境温度时，您可以确定外壳或裸片的最高温度。 为了确定 GP PWM 的最大功率耗散，我们考虑 VDD*IDD。 对于 IDD、我们需要考虑静态工作电流(IDD_Q)和平均栅极驱动电流 IDD_DRV。
在 UCC28C40数据表中、IDD_Q=3mA。
IDD_DRV 、这是驱动负载所需的驱动器电流。 假设 MOSFET 是负载、IDD_DRV=Qg*F、其中 Qg 是给定 VDD 下的总栅极电荷、F 是 MOSFET 开关频率。 假设根据给定的 MOSFET 数据表、在 VDD=12V 时 Qg=200nC、开关 频率为100kHz
IDD_DRV=200nC*100kHz=20mA
总功耗现称为：
P=VDD (IDD_Q+IDD_DRV)=12V (3mA+20mA)=276mW
采用 SOIC 封装的 UCC28C40的结至外壳热阻抗为71.7°C/W
T_RISE=71.7°C/W*276mW=19.8°C
总结温 Tj 估计为 T_RIST+Ta。 室温下、假设 Ta~25°C：
TJ=19.8°C+25°C=44.8C
此致、
Steve M
Steve、
感谢您的澄清。
肖恩
您好、Steve、
感谢您的回复。 我了解如何获得结温、但"总功率耗散"最终意味着什么？ 不是我不知道°C/W 意味着什么、但我不理解为什么单位是°C/W、即使它被称为"总功率耗散"。 "总功率耗散"表示什么？
您好、Ryu、
"总功率耗散"的单位"°C/W"在这里具有误导性。 "°C/W" 用于热阻、例如从结点到环境的热阻。 "总功率耗散"是指输入功率和输出功率之间的差值、单位为"W"。 由于不清楚、团队正在讨论从 D/S 中删除此项目
感谢您的反馈、
您好 Sean、
感谢您的回复。 我知道。
