您好！
我希望能够澄清 LMG1210高侧栅极输出(HO)在自举电源电压(VHB-VHS)低于 UVLO 阈值(数据表中的 VHBF)时的行为。 例如、假设我在 12V 至24V 同步升压转换器中使用 LMG1210、并且在正常运行期间、我通过将 LI 和 HI 引脚拉至低电平来禁用 LMG1210。 VHS 将保持在12V、这意味着自举电容器将逐渐放电、直到其电压降至 低于 VHBF。 在这种情况下、我是否应该假设 HO 输出仍然会使高侧 FET 的 Vgs 保持足够低、从而不允许反向导通？
在数据表中、我看到这种 VCLAMP 的参考、这听起来很相关。 但不清楚 它的实际描述是什么、以及它是否与我的用例相关(我的 Vdd 电压仍为5V)。 是否有一个原理图显示了此规格的条件以及 HO "上拉电流"所采用的路径？
此致、
Mike
您好，谢谢您的快速回复！
我在独立输入模式下使用 LMG1210、因此我将引脚称为 LI 和 HI、而不是 PWM 和 EN。 不过、同样的问题也适用于 PWM 模式运行。
我想我 的问题是当 VBST (等于 VHB-VHS) 接近零伏时、LMG1210如何确保 FET Vgs (等于 VHO-VHS)保持低电平。 通过 "Vgs 保持低电平"、我的意思是小于0.7V。
我知道 Vin 和 HB 之间的路径中的开关、可防止当 HS 摆动为负时 Cbst 过充。 但是、正如数据表所解释的、这并不是真正的钳位电路。 这就是为什么我对数据表中引用的"未供电栅极钳位电压"感到困惑。 我认为它不是指自举开关(因为它与栅极无关)、但我无法具体说明什么。
至于 HO 上拉电流、该语言直接来自 LMG1210数据表、如下所示：
我的第一个假设是 VCLAMP、它是指当 VDD 和 VHB 都悬空时、HO 引脚灌入1mA 电流("上拉电流")导致的最大 VHO-VHS、如下所示：
如果这是准确的、那么我会担心、因为数据表规格 VCLAMP 会高达0.8V、这足以开启某些 GaN 晶体管。
我的理解是否正确？ 感觉不是这样、因为在上面的电路中、"上拉电流"没有返回路径。
此致、
Mike
