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[参考译文] LM5116:转换器无法在负载下启动- VCCX/VCC 较低

Guru**** 2768865 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1185189/lm5116-converter-failing-to-start-under-load---low-vccx-vcc

器件型号:LM5116

我们最近收到了一批新电路板、其中包含24V 降压转换器、但未通过生产测试。 生产测试打开4Ω Ω 电阻负载、启用24V 转换器、然后测试24V 电压轨。  

该转换器使用 LM5116、规格如下:

输入电压:36-85V

输出电压:24V

输出电流(最大值):8A

Fsw:200kHz

TSS:50ms

高侧开关:SIR632DP-T1-RE3

低侧开关:BSC077N12NS3 G

该转换器过去工作正常(尽管不是最佳);但是、这些电路板确实发生了元件变化。 转换器原理图如下所示。 与低侧同步开关并联的 D44 (NTS10120MFS)已更改为正向压降稍高的新组件:+0.2V (MBR15200DJF)。 由于不需要这个二极管、我怀疑这是问题的原因。  

在测试过程中、我发现 VCC 电压源从内部7.4V LDO 更改为 VCCx 后、转换器很快就出现断续模式。  此时、VCC 降至~5V、然后在接下来的几个开关周期中以更慢的速度衰减至4.7V。 仅当在~4.5A 以上的负载下启动时才会出现这种情况。  下一幅图显示了断续周期期间 VCC 下降的情况。 黄色为 Vout、蓝色为 VCC、红色为 VCCX。

在此期间、低侧和高侧开关的 Vgs 也会下降、从而导致 FET 增强不良。 在下图中、VCC 为蓝色、高侧 Vgs 为橙色、  黄色和绿色信号分别为 HO 和 SW。 请注意、这种糟糕的导通也会出现在在在负载启动并通过生产测试的电路板上。 此外、如果转换器能够超时这段时间、VCCX 将增大、栅极开始正常运行。  完全启动 和不启动之间的裕度显然很小。

我过早地发布此帖子、因为我将要执行更多测试;但是、获得以下问题的答案是有益的:

1) 在此期间、不同的并联低侧二极管是否会导致开关节点发生显著变化、从而说明这些板不能正常工作的原因? 我都移除了二极管、并将其替换为旧的二极管、在每种情况下都得到相同的结果。 然后、这是否指向另一个变化?

2)  如果开关未完全导通、那么实际导致转换器关断的原因是什么? 我们此时会看到大电流尖峰(使用 CS 和 CSG 的差分电压进行测量)、但这些尖峰持续时间很短、我认为不会触发 OCP。 转换器是否刚刚遇到 VCC 欠压故障?  

3) 如果我们在 VCC/VCCX 上添加额外的电容以使 VCC 保持更高的持续时间、这是否会让转换器完成初始启动?

4) 我计算出的 IGC 为14mA。 如果我接地 VCCX 并移除其功能、我们会遇到过热或性能不佳的情况吗? 数据表建议电流< 15mA。  

5) 组件(VCC/VCCX 电容器、自举二极管、LM5116 VCC 欠压)中的容差堆叠是否恰好足以影响转换器、因为它具有较小的 VCC 裕度?

此转换器的设计正在电路板的新修订版中进行更新、但我们有当前修订版的库存、需要使用。 我们已经注意到新设计中将涉及的一些次优因素。 此时、我所关心 的是导致这一最新电路板无法正常工作的原因、而其他电路板则是如此。

欢迎您提供任何帮助!

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    您好!

    已收到此主题、我将联系相应的应用程序以支持您的问题。  

    此致、

    Jimmy  

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    洛根、您好!

    什么是 FET 器件型号? FET 米勒平坦区可能接近5V、因此在过渡到 VCCX 期间 VCC 摆幅低会导致 FET 导通不足。 米勒平坦在寒冷条件下会升高、这是该潜在问题的最坏情况。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    有问题的 FET 是 SIR632DP-T1-RE3。 在高侧有两个。 根据 Vgs-Qg 图、它大约为4.5V。  



    在进行原始 POST 后,我进行了更多测试,包括完全删除 VCCX 功能。 然后、转换器将在负载下正确启动。 这是一个向前发展的选择、尽管功耗的增加不低于理想值。  

    我仍然不明白为什么新二极管会导致转换器的性能变差。 我用一个旧电路板替换了一个正常工作的转换器、用新器件替换了低侧二极管、并在开关波形中进行了明显的变化。 我的假设是、逐周期过流保护正在开始生效。  

    以前:


    之后:  


    在每个其他开关周期中、栅极过早关闭、与 UVLO 和 VCC 上的尖峰相一致。 但是、这并不会阻止转换器启动。 在大约相同的时间后、VCCX 将继续增大、FET 将完全增强、转换器将完全打开。  

    您是否有人建议这种新二极管为什么会导致这种情况发生? 我很容易接受该转换器中信号的裕度非常小、但我想了解为什么更改该二极管会导致足够大的变化、从而导致这样的问题。 以前构建的电路板似乎会继续与新器件一起工作、因此、这一最新批次中使用的各种其他组件的容差可能会叠加 起来、形成"完美风暴"。  

    作为参考、这是两个二极管:


    原文: NTS10120MFS

    替换: MBR15200DJF

    再次感谢您的帮助、

    洛根

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    你(们)好,Log  

    我想产生差异的原因是 MBR15200的结电容大于 NTS10120。  如果有任何机会、请同时监控 VGH_HIGH、  Vgs_LOW 和电感器电流。  

    -李家祥

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    尊敬的 Eric:

    下面的波形来自负载为6A 的新 MBR15200二极管无法正常工作的转换器。 CH1、CH2、CH3和 CH4分别为电感器电流 Vgs_Low、开关节点电压和 HO。 Math 函数为 Vgs_High。  

    在 t= 26µs μ s 时、 每个其他高侧栅极导通脉冲都会开始下降。 在 t=29µs Ω 时、高侧开关不能正常关断。 在上一个开关周期中、开关节点电压的衰减似乎快于150ns。

    我将负载降低至2.67A 并重复测量。 在这里、转换器将成功启动、但开关 具有相同的特性。  

    在此负载下、电感器电流在开关周期期间变为负值。  

    在阅读数据表时、它提到开关节点上的宽脉冲和窄脉冲是次谐波振荡的指示器。 这是否可以解释转换器达到此点之前看到的交替脉冲宽度?

    再次感谢您的帮助、

    洛根

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    你(们)好,Log  

    当占空比小于~ 50%且斜率补偿量不够时、会发生次谐波振荡。 我认为您看不到次谐波振荡、因为输入电压为~ 80V、但如果您担心次谐波振荡、只需通过减小 Rramp 电阻器值来检查它。 此外、请使用快速入门计算 器 https://www.ti.com/lit/zip/snvu051仔细检查您的斜坡和斜坡值 

    -Eric Lee

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    Eric、您好!  

    我检查了补偿 组件的值、它们看起来很令人满意;但是、我在另一个方面有了发展。  

    根据同一快速入门表、我发现自举电容器很低。  我计算出的值为0.26µF μ F、而电流电容器仅为0.1µF μ F。 数据表建议使用一个1µF μ F 电容器、电容器是设计中当前电容器的10倍。 使用本文档(半桥配置的自举电路选择)、我手动计算了自举电容的最小值、 结果与0.22µF μ F 相似。  

    找到这一结果后、我用一个0.33µF μ F 电容器替换了自举电容器、并在6A 负载下成功启动。 开关波形仍然不是很好、但它确实始终如一地开始。 将负载电压提升至8A 会阻止负载再次启动、尽管根据数据表中的建议、我似乎应该尝试将其增加至1µF Ω。  

    上述链接的同一文档建议 VCC 旁路电容为自举电容的10倍。 如果自举电压过低、该值也可能不足以提供所需的电荷。 我再次发现该设计的一项功能不是很理想、但为什么这个新二极管暴露在外并不是我可以肯定地理解的。  

    问:根据您的经验、二极管结电容的变化是否会导致自举电容器/电荷泵性能的显著变化? 根据两个数据表中的波形图、我相信当反向偏置电压为85V 时、新二极管(MBR15200)实际上具有更小的电容。 我只能推断这种情况、因为 MBR 图仅会变为40V。 两者之间的差异非常小、大约为10s 皮法拉。  

    如果您能给我提供任何最终想法、我将结束本主题。 我已经确定了设计中的许多缺陷(开关导通、VCCX 不稳定性、自举充电)、将在下一次电路板更新中解决这些缺陷、 与上一批产品相比、这些最新电路板无法正常工作的原因可能会被粉笔加至不同组件的较差裕度和容差层叠。  

    谢谢!

    洛根

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    你(们)好,Log  

    在死区时间内、V (CHB)与 V (VCC)-V (SW)-V (DHB)成比例。 这意味着 SW 节点上的负尖峰 会影响 CHB 电压。  通常、负尖峰的数量与低侧 MOSFET 体二极管(或与低侧 MOSFET 并联的外部二极管)的正向压降成正比。 在您的情况 下、负尖峰越大越好、因为您必须使 V (CHB)大于米勒平坦电压。  

    建议使用"Cvcc > 10 x CHB"。 此外、建议使 CHB > 10 CG  

    在您的情况 下、CHB 越大越好、因为您必须在高侧 MOSFET 导通期间使 V (CHB)大于米勒平坦区电压。   

    -李家祥

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    有道理。 再次感谢 Eric。 我感谢你的帮助。