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[参考译文] LM3409HV:为何电流限制为4A

Guru**** 2480275 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3409HV, LM3409

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/682759/lm3409hv-why-is-the-current-limited-to-4a

器件型号:LM3409HV
主题中讨论的其他器件: LM3409

大家好、我有一个使用 LM3409HV 的工作设计、我想知道为什么输出电流限制为4A。 由于输出级通过外部 MOSFET、电流限制不应与 MOSFET 参数以及输出端和 Rsense 上的 L 和 C 一起成为函数?  

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    您好!

    LM3409不限于4A。 正确的做法是、它取决于 FET 和电感器、但实际上并不是输出电容器。 电感器很简单、您只需具有大于 LM3409设置的峰值电流的饱和电流额定值。 但 FET 需要更多考虑。 RDS (on)和交流损耗引起的功率耗散都是一个问题。 但是、至于09是否能够提供电流、您需要考虑 FET 栅极电荷和要使用的开关频率。 最常见的限流器是这种组合。 VCC 电流具有数据表中指定的限制。 驱动外部 FET 所需的电流是栅极电荷乘以开关频率(Qg*fsw)、这通常是限制因素。 如果您确保 Qg*Fsw 小于最小电流限制,那么您的最大电流实际上不存在限制。 我已经看到用于电流超过10A 的 LM3409。 如果您可以提供您的工作规格(Vin、Vout、Fsw)和 BOM、我会有更好的想法。 但该器件在4A 时肯定没有限制。

    此致、

    克林特

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    谢谢您、Clint。 这有助于堆!

    [引用用户="Clinton Jensen"]

    驱动外部 FET 所需的电流是栅极电荷乘以开关频率(Qg*fsw)、这通常是限制因素。 如果您确保 Qg*Fsw 小于最小电流限制,那么您的最大电流实际上不存在限制。

    [/报价]

    最小电流限制是多少? 在数据表中它被称为什么? 我在这里列出了一个设计规格、我还快速计算了此处列出的 BOM。 我之前有一个来自 WEBENCH 的设计、其中的 RUv2和 RUv1值。 如果您能告诉我这是否是一种可行的设计、我将不胜感激。

    规格:

    Fsw = 500kHz
    VIN (标称值)= 12V
    Vin (max)= 36V
    VOUT = 5.2V
    ILED = 10A
    Δ-Σ-Δ pp = 500mA
    Vturn-on = 5V
    Vhys - 1.1V

    BOM:

    COFF = 560pF
    ROFF = 6.81K
    L = 12uH
    Rsns = 20mR
    Cin1 = Cin2 = 15uF

    PFET =请参阅下面列出的选项:
    IRF9Z34PBF   60V   18A   140mR   34nC
    FQP17P10   100V   16.5A   190mR   39nC
    FQP17P06   60V   17A   120mR   27nC
    IRF9540NPBF   100V   23A   117mR   97nC
    FQP27P06   60V   19A   70MR   43nC
    2SJ600-AZ   60V   25A   79mR   38nC
    IRF5210PBF   100V   40A   60mR   180nC

    二极管= MBRB10100CT 或 SDM8M100P5
    RUv2 = 49.9K
    RUv1 = 16.5K



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    您好!

    该规格为 ICC-lim、最小值为30mA。 但实际上、对于该器件、理想情况下、您希望最大 Qg 约为40nC 或更低。 因此、如果您可以处理热性能、这是一种可行的设计。

    此致、

    克林特

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    谢谢。
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    您好!

    我最终构建了这个设计、它工作正常、但是 MOSFET 变得非常热-达到95°C 左右的温度。 如果我要并联添加多个 MOSFET (具有相同的器件型号)、这是否起作用?