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[参考译文] UCC28780EVM-002：UCC28780 HV MOSFET 损坏问题

admin
Guru**** 2480855 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/691360/ucc28780evm-002-ucc28780-hv-mosfet-damage-issue

器件型号：UCC28780
主题中讨论的其他器件：TIDA-01622

尊敬的：


我们的客户参考设计 TIDA-01622 重新布局了新的电源板，但发现 IC HV 启动600V MOSFET 损坏，输出无法加载。  

e2e.ti.com/.../ACF-65W-Type_2D00_C.pdf

HV 损坏部件：Infineon BSS126

DC147V 输出20V VSW 电源4

通道1 FB 通道2 VSW

但是、如果黄色突出显示 CS 引脚更改为连接到 GND、则电源板可以正常工作。

如有任何建议、请告知我。

谢谢、

此致、

劳伦斯。

 

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    TI__Guru**** 2480855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的劳伦斯：

    感谢您向客户推广 TI 的解决方案。
    它可能与布局问题相关、导致 HV MOSFET 上的 di/dt 过高。
    我将与高级 AE 进行讨论、并尽快回复您

    此致
    Kevin
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    TI__Guru**** 2480855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的劳伦斯：

    很抱歉、花这么长时间来解决您的问题。
    您能帮助我将 RP38从4.7欧姆更改为5000欧姆吗？
    可能是高侧隔离器在高侧 GaN 上错开、这会导致高 di/dt 损坏 HV MOSFET 的 Vgs。

    我检查了 UCC28780EVM002设计。
    它们采用4.99千欧姆电阻来缓解高侧 GaN 上的误导通问题

    我希望这可以解决这个问题。

    此致
    Kevin