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[参考译文] LP8863-Q1:功率损耗@负载突降

Guru**** 2480975 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/690910/lp8863-q1-power-loss-load-dump

器件型号:LP8863-Q1

你(们)好

我的客户有疑问。请与我合作。

当车辆内蓄电池负载潮湿时、输入电压上升至约40V。
当在升压模式下使用 LP 8863时、当达到 VIN>VOUT 时、我认为 VOUT≈VIN。
LP 8863中是否未出现问题?
(例如、每个 LEDx 端子的损耗是否会瞬间增加?)

■客户规格
VIN:5V~40V
VOUT:min24拼写错误30V max36V
ILED:max95mA (×6=570mA)

最恰当的考虑

T Kishi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kishimoto-San、

    如果 Vin 高于 Vout、Vout 电平将为 Vin-diode drop = Vout。  因此、对于给定的 LED 变频触发 OVP 故障、VOUT 电平可能比目标调整电平高得多。

    LP8863上有2种类型的升压 OVP 故障。 升压 OVP 低电平、升压 OVP 高电平。  

    当 FB 电压比所需值(典型值1.2V)高0.25~0.3V 时、将触发升压 OVP 低电平。 这相当于升压输出电压高于目标值 R1/R2*0.25 (或0.3)。 其中 R1 =上部 FB 分压电阻器、R2 =下部 FB 分压电阻器。 一旦检测到升压 OVP 低电平故障、升压将暂时停止开关、直到 OVP 条件消失、同时所有其他功能正常工作。 由于 OVP 条件发生、升压 OVP 低电平故障可在~100us 内检测到。

    当 FB 电压比所需值高~0.6V 时、升压 OVP 高电平被触发。 在这种情况下、升压输出的计算方法与升压 OVP 低电平故障相同。 检测到升压 OVP 高电平故障后、升压转换器进入故障恢复模式、该模式会停止升压和 LED 驱动器、因此器件将处于待机模式。

    首次升压 OVP 高电平故障可在500~600ms 内检测到、因为 OVP 条件出现、并且故障恢复尝试的检测时间减少到50ms。

    因此、如果仅发生升压 OVP 低电平情况、则不会影响正常运行、但升压 OVP 高电平故障会影响正常运行。

    对于最坏的 Vin 和 Vout 情况、通过粗略计算、高于目标值的升压电压将为40-0.5 (二极管)-24 = 15.5V、这将足够高、足以触发升压 OVP 高电平故障。 但是、如果负载突降情况只发生在500ms 以内、则升压 OVP 高电平故障不会被检测为故障、器件将继续正常运行。

    在 LP8863的寄存器控制中、针对两个 OVP 故障的状态寄存器和 INT 引脚运行可被禁用。

    有关 负载突降情况下的功率损耗、

    对于高 LED 电流、由于 LED 的高 Vf、Vout 将接近最大值、并且 Vin 和 Vout 之间的电压差将最小化--> LED 驱动器上的低余量电压、低功率损耗

    对于低 LED 电流,由于 LED 的 Vf 较低,Vout 将远低于 Vin,因此余量电压将较高,但由于 LED 电流较低,功率损耗将较低 。

    对于中 LED 电流、这是 LED 驱动器功率损耗的计算。

    40V - 0.5V - 30V (LED VF 典型值)= 9.5V

    ILED = 50mA (不是最大值、而是典型 Vf)

    功率损耗= 9.5*0.05*6= 2.85W。 这个功率数相当高、但是负载突降条件的持续时间将非常短、并且结至顶部外壳热参数只有0.3C/W (这可能会因 PCB 设计而异)。

    简而言之、此应用条件将起作用、许多客户将 LP8863用于类似的应用条件。

    希望这对您有所帮助、

     

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好

    感谢你的答复。

    我了解到 LP8863能够在负载突降时正常运行。
    ℃、0.3 μ A/W 是 ψ Ω JT 的值。
    我认为当 θJC 等被使用时、实际温升将上升约60°C、但还可以吗?

    最恰当的考虑
    T Kishi
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kishimoto-San、

    θJC 不是估算结温的常用参数。 实际上、裸片温度可由 内部温度传感器直接测量、其工作温度最高可达150°C、并且这将具有足够高的裕度、能够支持各种条件下的所有负载条件。 更大的问题将是 SW FET 的温度、其中高 SW 电流流流和高功率损耗发生在该位置。 此功率损耗通常在几百 kHz 左右的低频率下正常、但在接近最大频率2MHz 的较高 SW 频率下可能至关重要。

    因此、选择高功率/高开关速度 FET 和二极管对于高开关频率非常重要。

    希望这对您有所帮助、