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您好！
我还在调查、但似乎每次插入电池时都需要更换低侧 NMOS。 这是您过去看到过的吗？
在发生损坏时、您能否显示问题的范围捕获？
电池节数= 6
FET 额定电压= 40V
下面是原理图(我们在 SRP 上添加了缺失的电容器)：
嗯、我没有对其进行全面测试、但初步结果表明 IC 也可能损坏。 您说过大电流将流经 Q3的体二极管、然后接地。
1) 1) 1)通过 Q3的体二极管接地需要什么路径？
2) 2)电压尖峰是否是由流经电感器的大电流引起的？
3) 3)电压尖峰是否会导致 PH 节点上的组件损坏？
4) 4)在不进行重大重新设计的情况下、我现在可以做些什么来保护电路？
关于1、请参阅下面标记的路径。
关于第2条，是的。
关于3、我不能在结束时不考虑范围捕获。
关于4、当电池插入时、低侧 MOSFET 的漏极会快速上升、这可能会升高栅极电压并导致损坏。 一种解决方案是在 CGS 处增加更多电容、以保持栅极电压下降。 或者尝试找到 CGD 低于 CGS 的低侧 FET 的替代产品。
