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[参考译文] TPS2660：RTN 与 GND 之间的内部接线电阻

admin
Guru**** 2491975 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2660

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/704683/tps2660-internal-wiring-resistance-between-rtn-to-gnd

器件型号：TPS2660

关于 TPS2660数据表 P17、我认为 RTN 在内部连接到 GND。

是否存在 RTN 至 GND 线路的接线电阻数据？

OVP 和 UVLO 计算对 RTN 到 GND 接线电阻(压降)的影响很小、我想知道这些微小的误差。

 

此致、

Satoshi

  • 0
    TI__Guru**** 2491975 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Satoshi、

    从 RTN 到 GND 的内部电阻为10欧姆、由于 IQ 电流而产生的压降极小、大约为 mV。
    300uA 和10欧姆将提供3mV。

    此致、
    Kari。