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[参考译文] BQ34110:重新编程数据闪存时、BQ 器件累积的值会丢失?

Guru**** 2491815 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34110

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/704453/bq34110-bq-device-accumulated-values-lost-when-data-flash-reprogrammed

器件型号:BQ34110

我们在上电时重新对数据闪存进行编程(如果我们期望的 DF 版本不匹配)。

我们注意到、当我们这么做时、数据闪存中的周期计数字段被重置。

我们想知道、当我们对数据闪存进行重新编程时、是否有任何其他值(内部寄存器)在 bq 器件中被复位/擦除/覆盖、这些值会对 bq 操作产生不利影响(例如累加电荷、累加充电时间、上次累加电荷、最后累加时间、SOH/运行状况)、 DCR/放电计数寄存器等)。

我们需要知道、如果我们在现场更新产品的固件(新固件包含新的数据闪存映像、导致我们擦除/重新编程数据闪存)、则会导致在更新之前因产品操作而累积的 bq 操作信息丢失。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    是的、如果您重新编程 DataFlash、您将覆盖许多学习到的参数。
    动态数据闪存参数包括 bq34110 TRM 中表4-3中的以下各项:
    -寿命:最小/最大温度和电压以及最大充电/放电电流
    -电量监测:状态配置文件:已了解完整的充电容量
    -电量监测:状态配置文件:存储的剩余电量
    -电量监测:状态模式:周期计数