• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 16 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 402 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27714：UVLO 故障、如何打开 HS 电源的 HO 栅极？ 请帮帮我

admin
Guru**** 2478765 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27714, UCC2895

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/688772/ucc27714-uvlo-fault-how-can-i-open-the-ho-gate-to-hs-source-please-help-me

器件型号：UCC27714
主题中讨论的其他器件： UCC2895

几周前、我购买了一些 UCC27714半桥驱动器来制造压电式高电压驱动器、在测试期间遇到了一些问题。 一个是 HO 输出异常。

如果我给出一个周期矩形波、HI 和 LI 会从0周期变为1周期。 我发现 LO 响应是正确的。 但 HO 响应始终是 Vgate (FET 栅极引脚上的电压)等于 Vsource (源极引脚上的电压)。我的图如下所示：

黄色点表示测试点。 红色值是测试值。 我认为这是 UVLO 故障。 但我不知道如何解决它。

请提供一些提示。 非常感谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、User5329003、

    请注意、HS 会在 Cboot 充电期间使 HO 输出非常高。 在自举周期开始时、HS 似乎没有被拉至接地？

    我们在过去几周发布了类似的主题、HS 跳转到 HO 等... HO/LO (GTRon = 3R)可能是一个较低的值、即使是@Ω IGPK+/- 4安<10us 脉冲对地短路也是如此。 这似乎会在 Cboot 充电周期期间对 HS 施加应力。 随后，Cboot 主要保持为 HS 上的浮动电压--之后似乎会将输出电流泄漏到 Cboot 上。

    建议将 UCC27714替换为新的栅极驱动器、并针对 GTRon 值(18R-24R)使用系数6-8x 总 NFET QG、从而增加一些安全裕度。 也许可以在 PWM 频率设计允许的情况下减少/增加 GTRon、而不会对 UCC 造成损坏。 看到电路工作了一段时间、看到它崩溃、然后静默盗窃、没有人见证犯罪。
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用 user5329003"]如果我给出的周期矩形波是 HI，LI 从0周期变为1周期[/引用]

    您是说 HI/LI 是互补 PWM 信号吗？

    BTW：R7-13 2R2k 可能会产生 一些高 频栅极驱动器的不良滚降上升沿吗？ 典型值10K/20K、 被认为是安全 GTRoff、如果 HO/LO 因 开路 R 或开路铜线迹而丢失、则关闭 NFET。

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    它看起来像您的自举电容器，C5没有充电。 您需要使用恒定的 PWM 信号驱动 HI 和 LO、否则自举电容器会由于 MOSFET 的栅极泄漏而放电。 如果您以10-20 kHz 的频率运行它、您是否会看到同样的问题？
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我想增加输入频率、但我的器件的带宽无法达到该范围。 我使用300Hz PWM 信号尝试其性能、但再次失败。 因为下降时间刻度小于2ms。 您可以提供其他方案吗？ 谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    是的、当 HI 为高电平时、LI 将为低电平。
    我将尝试您的建议。 谢谢！
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    顺便说一下、您能告诉我如何检查我的驱动程序(它是好的还是坏的)吗？
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    我相信、在 HI/LI PWM 信号的1/2桥死区时间期间、LO 会正确地为 Cboot 充电。 并非所有简单的架构都能在不复杂处理 HI/LI 驱动器的情况下实现这一目的。

    当 DON 被注入时、它必须被保险 LI 切换(高电平)在切换 HI (高电平)前产生 Cboot 充电时间、否则 HO 驱动的 NFET 不会产生输出功率。 如果在 HI 之前未切换 LI、很难想象这会如何导致 HS 受到压力。

    如果您使用的是函数发生器、它能否在 HI/LI 驱动输入时间之间插入死区时间？ 如果 UCC2895无法生成所需的信号、请检查其允许的频率范围。
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    在300Hz 时、您的波形是什么样的？

    我认为 R7可能太大了。 您能否将其删除并查看其是否正常工作？
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的提示！ 我将记住。 你很酷！ 使用20k 替代2.2k 电阻器的技巧有效、但会出现新问题。 总之、非常感谢。 我将更新新的测试结果。
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢、我将更新波形并尝试您的解决方案。

    必去之处
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    BTW：
    R7-R13之后、根据 DON 的建议更改20k 或删除 LO 开启时的建议、HS 引脚应在示波器捕获时接地。 当 LO 高于 NFET 栅极阈值时、如果 HS 仅稍微下降或偏离13.6V 的一半、则 UCC 可能会损坏。 LO 应在将第一个 HI 驱动脉冲置为有效前一直拉至 HS 或 Cboot 或非常接近接地

    我们允许使用毫秒的 LO 侧 PWM 脉冲1%占空比为 Cboot 充电、然后对 HI/Li 侧进行换向、从而为电感器供电。 通常、在零电压开关架构中协同工作的2个 UCC 可实现良好的效率。
  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    波形就像这样

     

    我曾尝试拆除2.2K 电阻器、它正常工作、HO 可以在60ms 内维持高电平。  

    由于我从未使用过半桥驱动器、请告诉我 HO 高于 HS 时、FET1打开、FET2关闭、HS 变为极高的状态(HV)。 现在、HB 的泵速如何高于 HS、HO 将与 HB 相同。 因此、FET1可以保持导通状态。

    它是仅通过引导电容器还是内部电路？

    非常感谢您！

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、user5329003、

    HB-HS 电压仅由自举电容器维持。 由于没有为自举电容器充电的内部电路、因此必须定期将 HS 引脚接地、以便通过外部二极管连接来刷新自举电容器上的电荷。

    当 HS 变为 HV 时、有三个元件会降低自举电容器电压：

    1. 高侧 MOSFET 的栅极电荷。 在 HO 导通期间、Cboot 电压将每周期下降一次。 由于 C = Q/V、Vdrop = Qg/Cboot。
    2. 钳位电阻器 R7电流。 电压下降将遵循 R-C 指数行为、时间常数为 R7 * Cboot。
    3. IC 的静态电流。 使用数据表值将其视为电流源、并且由于 I = dQ/dt、Q = I * t 且 Vdrop =(I * t)/Cboot。

    如果这些损耗之和导致 HB-HS 电压降至 UVLO 阈值以下、则可将 Cboot 或 R7作为潜在的解决方案进行增大。

    此致、

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    太棒了！我需要这个细节说明！ 您非常乐于助人。

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Derek：

    [引用 USER="Derek Payne">钳位电阻器 R7电流。 电压降低将遵循 R-C 指数行为、时间常数为 R7 * Cboot[/quot]

    您从何处获取 此类信息、因为没有其他供应商建议保护电阻器(本例中为 R7) 对 Cboot RC 时间常数有任何影响？

    Cboot RC 时间常数的放电电电流路径似乎是您所指的、因此 R7仅在 放电期间具有部分影响？

  • 0
    TI__Guru**** 2478765 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 BP101：

    如果不清楚、则仅当输出为高电平时才会出现流经保护电阻器的电流。

    在较高的频率(>20kHz)下、保护电阻器的 R-C 时间常数通常比开关周期大得多。 ^、与1µF μ F 自举电容器配对的2.2kΩ Ω 电阻器的时间常数为2.2ms、而周期为50µs μ s；这表示 e (-t/RC)=小于自举电容器电压的1%的变化、即使在99%的占空比下也是如此。 但是、在较低的开关频率下(例如本应用中为300Hz)、50%占空比会导致自举电容器电压下降约28%、99%占空比将会导致自举电容器电压下降约55%、且自举电容器和保护电阻器值相同。 这可能是其他供应商没有建议任何有意义的影响的原因：电机驱动、电源和逆变器应用都在保护电阻器对自举电容器选择没有太大影响的频率下进行开关。

    此致、