[参考译文] TPS92314：FET 选择

admin

Other Parts Discussed in Thread: TPS92314, TPS92314A, PMP4362

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/689551/tps92314-fet-selection

器件型号：TPS92314
Thread 中讨论的其他部件：、 PMP4362

你好

我的客户打算为该型号采用全新的 T8管2019设计。

这是规格。内容。

/AC 输入220至240V

/LED VF 60至85V

/LED、如果为350mA

/PF > 90%

/无调光

我曾建议使用 TPS92314。

这是客户提出的问题。

问题1.

我们如何选择 FET？

我看到了 sluc446，但我找不到如何选择 VD(MAX)>600V，ID 等等...

TPS92314_TPS92314A_Calculation 工具__REV1.1_VERSION

我还看到 PMP4362的 FET 是600V/4A STD4NK60ZT4S，但您如何选择它？

您是否简单地说 VDS (MAX)> 600V、ID 应取决于 LED、如果是？

此致

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1133420 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

您是否考虑为此采用隔离型反激式拓扑？在您的最大 VF 下、输出功率将为85V * 0.35A = 29.75W。很难设计适合 T8管的变压器。

您是否还在尝试更换 T8荧光灯泡并重新连接灯以去除镇流器？

选择 MOSFET VDS 额定值是设计过程的一部分。如果输入为240VAC、则相当于373V 峰值、线路容差为10%。反激式转换器将次级电压反射回整流交流电上的输入端、例如、如果变压器的比率为2：1、则在85V 时、初级绕组将看到额外的85V * 2或170V。将其添加到373V、您的电压为543V。这不包括漏电感引起的过冲或交流线路浪涌的裕度。需要进行计算以找出 MOSFET 在最坏情况下的漏极电压。这将包括本示例中需要高于170V 的泄漏阻尼或钳位电路以及任何浪涌要求、如果您的要求需要、这些要求将通过 MOV、TVS 或燃气管等限流器件进行钳位。在本示例中、MOSFET 的额定电压至少应为800V VDS 或更高。

确定额定值是设计过程的全部内容、如果变压器比率为1：1、则反射电压会更低、但 MOSFET 看到的输入电流峰值将更高、占空比更低、设计效率可能会降低。

MOSFET VDS 取决于 Vin 最大峰值电压加上通过变压器匝数比反射的 LED 电压、加上漏极波形上最坏情况下的泄漏尖峰以及任何浪涌要求(及其在输入端的钳位程度)和裕度。

此致、

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1133420 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Nederbragt 先生

感谢您的快速而准确的表达！！

很抱歉再次打扰您、我没收到信息。拓扑、但我的客户将使用非隔离式。 (未隔离)。

因此、我认为遵循 PMP4362 (slura48.pdf)；适用于客户的600V/4A FET 是可以的。

http://www.tij.co.jp/jp/lit/df/slura48/slura48.pdf

请您再次向我提供您的评论吗？

此致

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1133420 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

在此拓扑中、整流交流电峰值和264VAC (240VAC + 10%)时的最大电压为373V、加上 LED 堆叠电压85V = 458V。这是在没有线路干扰的情况下进行的、因此它应该在实验室和测试期间正常工作、但由于浪涌而可能无法使用。 PMP4362中使用的 MOV 为 ERZV05D471、在其额定浪涌期间的最大电压为810V。在这种情况下、即使是800V MOSFET 也不够高。要选择 MOSFET 额定电压、需要考虑输入浪涌要求。

此致、

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1133420 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Nederbragt 先生：

再次感谢您的快速回答！！！！

我正在与客户交谈，我将要求客户使用800V 或更高电压。

请允许我让客户再次询问有关选择 IDRAIN 的问题。

Q1 ID (最大值)

我的 LED 电流为350mA、但我们如何考虑 FET 选择的 ID (MAX)？

例如，如果 ID >> 4~8次？ LED 是否正常？

如果是、对于轴向采样、我们将选择2A 或4A/800V。

：FCD1300N80Z 800V/4A 输出电容(效率)：有效输出电容为48.7pF

：FCD3400N80Z 800V/2A 输出电容(效率)：有效输出电容为41pF

为了最大程度地降低开关损耗、2A/800V 更好？

Q2 CDRAIN the calcululation tool sluc446

TPS92314_TPS92314A_Calculation _tools__REV1.1_version：sluc446如所示

下列。**

但 "Ceout"是否意味着 FET 数据表中的输出电容？(有效输出电容？)

***
MOSFET 数据表中的 CDRAIN (典型值= 22-150p)

>>输出电容示例

此致

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 1133420 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

MOSFET 优化将来自设计计算。 MOSFET 中的电流不是 LED 中的电流。对于降压/升压转换器、更易于理解、因为 MOSFET 中的峰值电流也是流入 LED 和输出电容器的峰值电流。如果功率因数校正、则在整流交流峰值处的输出功率约为2倍。如果输出电压为85V、输出电流为350mA、则输出功率约为30W、交流峰值时的输出功率约为60W。

这意味着峰值输出端的平均电流约为700mA。整流交流电的峰值约为340V、输出为85V。峰值时 MOSFET 的占空比约为20%、因此输出占空比约为80%。由于这是转换模式、峰值电流必须是平均电流的两倍、并且考虑到占空比、峰值电流将为700mA * 2 / 80%或1.75A。为了找出 MOSFET 导通损耗的损耗、有必要计算出1/2个线路周期的 RMS 电流。如果不进行所有数学运算、我将从大约一欧姆 Rdson 开始、可能或多或少、但这需要完成所有数学运算、了解开关频率等 Qgate 不应该为高电平、我看到的器件的阻值小于20nC、大约为1欧姆。 STD4NK60是一个两欧姆器件、因此在优化(数学计算和测试)期间会发现它。

输出电容是非线性的、由于频率和电流的变化、计算开关损耗有点困难。这些设计的工作频率往往相当低、有助于降低 EMI 和损耗。选择输出整流器在设计中更为关键、因为反向恢复会影响开关损耗、尤其是在高温下(除非使用碳化硅)。它也必须具有高电压。

在100KHz 和400V 时为50pF 将导致大约0.8W 的损耗、因为输入并不总是处于整流交流的峰值、所以会更小。由于输出电容会减慢 MOSFET 漏极的上升和下降时间、因此有时会添加栅极电阻器、但这会增加效率损耗。

所连接的 MOSFET 对于这样的设计(FCD1300)而言似乎是一个良好的起点、而另一个设计也可能起作用。请注意、RDS on 随工作温度的升高而增加、而在高压 MOSFET 上、它可以加倍或更多(请参阅数据表中的曲线)。

此致、

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TPS92314：FET 选择