[参考译文] BQ24610：插入电池时、BQ24610和低侧 MOS 会烧坏

插入电池后、您能否上传示波器捕获？ 我们需要查看 PH、BTST 和电池电压的电压。

尊敬的先生、我的电池电压大约为18V。 当我插入电池时，请参考波形。 CH1是电池电压。 CH2是 PH 电压。 通道3  

是 BTST 电压。 您可以帮助查看我的原理图吗？ 如果您认为正常、我会将原理图发送给您。

是否在电池插件损坏低侧 FET 时捕获此值？

请发送原理图。

尊敬的 Jing、该波形是由于 PCBA 板损坏而产生的。 我已移除 bq24610和低侧 MOS。 CH1是电池电压。 CH2是 PH 电压。 CH3为 BTST 电压。 我的电池电压大约为18V。 我在 2018/3/22 (昨天)发送给您的波形来自正常 PCBA。 但我损坏了6个 PCBA。 可以给我电子邮件吗？ 我将向您发送 PDF 原理图。 谢谢。

您需要查看电路板上同时具有 bq24610和低侧 FET 的波形、捕获其损坏的波形。 如果没有 bq24610或低侧 FET、则电路板不会损坏。

假设波形损坏部件、则这些电压均不会超过最大额定值。 当电池插入时、bq24610尚未启动。 因此、低侧 FET 损坏 是由电池插头的作用引起的、与 bq24610 运行无关。 您可能需要联系 MOSFET Vinder。 FET 上的额定值为40V、不确定它为什么会因您捕获的电压而损坏。

错误导通低侧 FET 的 CGD 耦合噪声可能会导致损坏。 请仔细检查您的布局。

尊敬的 Jing、我检查损坏的电路板。 移除低侧 MOS 后、我测量 PH 引脚并发现它对地短路。 如果 MOS 的额定值为

尊敬的 Jing、我测量充电电流。 它小于我的设置。 例如、如果我将充电电流设置为900mA、我会测量 TI EVB 板上的充电电流大约为850mA。 但我测量 PCB 板、它大约为780mA (示波器上的平均电流、最大电流大约为900mA)。 根本原因是什么？ 我的感应电阻器为 mΩ Ω、与 TI EVB 相同。 我是否应该增大感应电阻器的值？ 另一个问题是 bq24610的发热。 电池充电时、bq24610会发热、但充电可以继续。 下面是我的 PCB 布局、红色块是 bq24610、安装在 PCB 的底层。 我的 PCB 是4层。 bq24610的散热焊盘 分配给 PCB 第二层(蓝色区域)上的 AGND。  AGND 通过0805 0Ω 电阻器(黄色块)连接到 PGND。 AGND 的面积是否太小而无法散发 bq24610的热量？ 台湾 FAE 告诉我、热量将发生在外部 MOSFET 上、bq24610只是一个开关控制器、不会被加热。 对吗？ 谢谢。

由于您未使用电池 FET 连接到系统、因此当电池插入时、电流将流经高侧 FET 的电感器和体二极管、因此您可以看到 PH 节点电压。 您可以尝试在电池和系统之间添加肖特基二极管、以帮助在电池插入时对 PH 引脚进行过冲。

Jason、  

您是否使用过肖特基？ 您是否仍然看到了散射型二极管的故障？

bq24650只有一个接地端。 我们建议在布局中使用单独的 AGND 和 PGND、原因是为了避免高功率开关噪声影响模拟小信号。 AGND 和 PGND 最终在 IC 上连接在一起。  查看您的布局捕获、我无法判断您是否为散热焊盘放置了焊盘。 请始终将散热焊盘焊接到电路板上。

对于 IC 损坏问题、请提交 FA 以供进一步分析。  

尊敬的 Jing：bq24610的第17引脚(GND 引脚)应连接到 PWR GND 或 AGND？  bq24610的 EVB 将 GND 引脚连接到 PWR GND。 可以告诉我它是否正常？ 为了减少 bq24610的热量、我将 bq24610的散热焊盘连接到 PWR GND。 因为在我的 PCBA 上、PWR GND 面积大于 AGND。 这是可以的吗？

应该可以连接到 PWR GND。