• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 20 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 719 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ24773：BQ24773热问题

admin
Guru**** 2468460 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24773

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/676549/bq24773-bq24773-thermal-issue

器件型号：BQ24773

您好！

我们使用  BQ24773进行电池充电。

下面给出了充电器芯片的配置：

  1. 最大电池充电电流- 4A
  2. 最大电池电压- 4.2V
  3. 开关频率- 600kHz
  4. 电源适配器规格：15Vdc/3A

平均系统负载为5.7A (最大值)，因此在从降压转换器汲取单位负载和电池充电电流时，总输出电流要求为9.7A (近似值)。

在这种情况下、不同器件的最高温度如下所示：

A) ACFET/RBFET (DMG4800LSD-13)：֯C μ A  

B)高侧 MOSFET (BSZ0902NSATMA1)：85 ֯C

֯C)低侧 MOSFET (BSZ0902NSATMA1)：94 μ A

D)电感器(SRP1038A-2R2M)：֯C μ H

该温度是在装置在27 ֯C 室温下工作时测量的。

如果您可以提供建议以降低温升、这将非常有用。

PCB 具有4层、尺寸为50mm x 28.5mm、覆铜厚度为2oz。

 

随附原理图和 PCB 布局文件供您参考。

e2e.ti.com/.../6457.PCB-layout.pdf

 

此致、

Mihir

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Mihir、
    我认为这篇文章与您在下面的另一篇文章重复。 讨论正在进行中，因此我将结束这一讨论。
    e2e.ti.com/.../673076
    此致、
    Eric
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Eric、


    这是与 PCB 布局和设计观点相关的不同查询。 请仔细查看功耗和布局。 是否有您想要给出的建议？ 如果您想了解有关最新查询的详细信息、请告诉我。

    此致、
    Mihir

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    首先、您有 FET 损耗估算吗？ 例如，ACFET，它应该很容易，因为它不会在正常运行时切换。 估算完 FET 损耗后、FET 数据流中的 FET 热阻抗是多少？

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我将关闭此帖子、因为3天内没有新帖子。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请在下面找到您需要的信息：

    1. 降压转换器(充电器)的测量效率- 88.9%
    2. 平均负载- 34W

    主要贡献者包括：

    1. 交流 FET
    2. 高侧
    3. 低侧 MOSFET
    4. 电感器

    请查看随附的数据、其中显示了实际值以及使用2种不同方法(即根据 BQ24773数据表中给出的公式)从理论计算中获得的值、另一种是根据降压转换器的典型功耗方法得出的值。

    以下是结果汇总：

    1. 根据数据表计算结果

    实际值

    理论值

    输入功率

    38.266

    输入功率

    38.266

    输出功率

    33.99

    计算得出的 PD

    1.62

    效率

    0.888255893

    输出功率

    36.64348

     

    效率

    0.957599

     

    1. 根据典型降压转换器计算得出的计算结果

    实际值

    理论值

     

     

     

     

    输入功率

    38.266

    输入功率

    38.266

    输出功率

    33.99

    计算得出的 PD

    3.12.

    效率

    0.888255893

    输出功率

    35.15.

     

     

    效率

    0.918565

     

    如上所述、理论计算值与实际值之间存在差异、这可能会导致 温升。

    请建议采取哪些措施来降低功率耗散、进而降低温度上升。

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您在何处测量效率？ 对于数据表、在输入/输出感应电阻器上测量了输入/输出电压。 因此、它不包括 ACFET 损耗、BATFET 损耗和输入电缆或迹线损耗、因为客户可以更改 ACFET 并采用不同的布局。

    那么、从输入电压测量点到 ACP 或 SRN 的压降是多少？
    电路板上的热点在哪里？

    此外、您使用什么 FET？ 有一个计算工具可帮助您估算 FET 损耗。 www.ti.com/.../fetpwrcalc

    您使用什么电感器？ 有一个计算工具可帮助您估算电感器损耗。 www.vishay.com/.../
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wang、

    感谢您的回答。  请查看以下回复以了解您的问题。

    1：ACP 输入电压测量点之间的压降为136.4mV。  

    电路板上的热点：共漏极(低侧 FET)、电感器和源极(高侧 FET)以及 ACFET 的漏极节点。 这些组件的温度已在下面提到。

    A) ACFET/RBFET (DMG4800LSD-13)：֯C μ A  

    B)高侧 MOSFET (BSZ0902NSATMA1)：85 ֯C

    ֯C)低侧 MOSFET (BSZ0902NSATMA1)：94 μ A

    D)电感器(SRP1038A-2R2M)：֯C μ H

    我们有两种不同的 FET 损耗计算方法。  (1)根据 BQ24773数据表中给出的公式(2)、根据降压转换器中的典型 MOSFET 计算。

    (1)根据 BQ24773数据表中给出的公式

    充电器电路中的功率耗散(W)
    P (ACFET/RBFET) 0.15
    P (HS) 0.36.
    P (LS) 0.17.
    P (L) 0.93
    总 PD 1.62

    (2)根据降压转换器中的典型 MOSFET 计算

    充电器电路中的功率耗散(W)
    P (ACFET/RBFET) 0.15
    P (HS) 1.55.
    P (HS) 0.48.
    P (L) 0.93
    总 PD 3.12.

    对于上述两种情况下的功率耗散、您认为组件的温升是多少？

    下面列出了高/低侧 MOSFET 损耗方面的另一个混淆。 请回答问题。

    a)高侧 MOSFET 开关损耗中的 Ton 和 Toff 是什么？ 是上升/下降时间还是导通/关断延迟时间、还是栅极导通和关断期间上升/下降+导通/关断延迟时间的总和？  HS/LS MOSFET 的器件型号： BSZ0902NSATMA1

    b)为什么忽略体二极管损耗和栅极损耗、因为 BQ24773的数据表中仅提到低侧 MOSFET 的导通损耗？

    C)您对布局的建议是什么、该布局已发布在此正在进行的查询中？

    如果您需要任何输入、请告诉我。

    此致、

    Mihir

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    请更正 ACFET/RBFET 的组合 PD 为0.4W 而不是0.15W。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    a)高侧 MOSFET 开关损耗中的 Ton 和 Toff 是什么？ 是上升/下降时间还是导通/关断延迟时间、还是栅极导通和关断期间上升/下降+导通/关断延迟时间的总和？ HS/LS MOSFET 的器件型号：BSZ0902NSATMA1
    Ton 和 Toff 应为上升/下降时间。 不打开/关闭死区时间。

    b)为什么忽略体二极管损耗和栅极损耗、因为 BQ24773的数据表中仅提到低侧 MOSFET 的导通损耗？
    低侧 FET 的导通损耗是主要损耗。 在开通时、VDS 几乎为零、因为电感器自由滚轮电流流经 LOFET。 在关断时、由于 FET 的输出电容、VDS 几乎为零。 但是、体二极管损耗应与总损耗相加。 数据表未提供多种其他损耗计算、例如反向恢复损耗、栅极驱动损耗... 数据表主要帮助客户了解充电器功能。 否用于优化转换器效率。 在 EVM 上测试了数据表效率曲线。

    C)您对布局的建议是什么、该布局已发布在此正在进行的查询中？
    很难使用 pdf 文件查看布局。 为了获得更好的热性能、请将电源接地层靠近功率 FET 层。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wang、

    感谢您的回复。

    因此、根据您之前的答复、考虑到上升时间和下降时间分别为 ton 和 toff、与 MOSFET 和 BQ24773的数据表相比、我们实际上得到的 ton 和 toff 更多。 请查找随附的 HS 和 LS MOSFET 栅极驱动器捕获。

    如下所示为 ton、toff、t (死 on)和 t (死 off)的实际值。

    (1) ton = 16.70ns (根据 MOSFET 数据表、理论值为5.2nS)

    (2) TOFF = 13.62ns (根据 MOSFET 数据表、理论值为3.6nS)  

    (3) t (死区时间)= 22.6ns (根据 BQ24773数据表、理论值为20ns)

    (4) t (死区关闭)= 55.8ns (根据 BQ24773数据表、理论值为20ns)

    注意：黄色显示的波形用于 GATE (HS)、蓝色显示用于 GATE (LS)。

     


  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../Actual_5F00_30_5F00_03.zip

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../8484.Actual_5F00_30_5F00_03.zip

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您是否能找到一个本地 FAE 来组织 WebEx 会议来讨论这些细节？

    (1) ton = 16.70ns (根据 MOSFET 数据表、理论值为5.2nS)
    如何计算5.2ns？

    (2) TOFF = 13.62ns (根据 MOSFET 数据表、理论值为3.6nS)

    (3) t (死区时间)= 22.6ns (根据 BQ24773数据表、理论值为20ns)

    (4) t (死区关闭)= 55.8ns (根据 BQ24773数据表、理论值为20ns)
    20ns 是典型值。 此外、我们需要将栅极驱动电压从零添加到 Vth。

    注意：黄色显示的波形用于 GATE (HS)、蓝色显示用于 GATE (LS)。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，王…！！

    很高兴听到你的声音 ！！
    在我休假的两天后、我们能不能再谈一下。 将尽快返回给您... 请确保此问题在我返回给您之前不会解决。 ！！

    如果需要、还将安排会议。 ！！

    此致、
    Mihir
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    当然。 没问题。 等你回来。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Wang、

    希望你能住得开心！！

    现在回到这个主题、我们已经用5.2ns 作为 Ton 时间、这是 MOSFET 本身数据表中给出的栅极导通上升时间。

    另一件事是死区时间通常为20ns、实际上可能比这更长。

    您能否与您的 FAE 安排 WebEx 会议？ 或者、您可以要求您当地的 FAE 与我们联系？ 请告诉我有关会议的最新消息。

    正在等待您的回复。

  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    是否可以帮助我关闭此主题？ 然后、向 wang-li@ti.com 发送电子邮件以开始离线讨论。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    当然。 您需要什么来关闭此线程？
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    由于我们可以通过电子邮件彼此进行离线讨论、因此我将解决此问题。
  • 0
    TI__Guru**** 2468460 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Wang、
    感谢您的支持和帮助。您可以在此处解决此问题。
    通过电子邮件回复我。

    此致、
    Mihir