尊敬的先生。
我的客户正在考虑使用 TPS61193A 实现1至2秒的闪烁。
在 TPS61193A 启动后将执行闪存。
VIN 条件和简要配置如下所示。
也许、必须保持足够的余量电压。
他们会准备额外的电阻器和 NMOSFET、以增加30mA 路径。
TPS61193A 具有将 IFBx 连接到 GND 的未使用引脚功能、因此我现在感到困惑。
请提供您的建议、
这种用法是否可行？
在这种使用情况下、是否存在任何问题和瓶颈？
此致、
H. Sakai
亲爱的 Caryss-San。
非常感谢您的回复、很抱歉我的解释不好。
应用程序是智能手机。 VIN 源为电池组、3.3V ~ 4.35V。
LED 配置为2个并联、6个串联。 这些电流均由 TPS61163A 控制。
正常情况下，在下运行，ISET = 30mA 灌电流，EN =高电平，PWM = 100%占空比
在 TPS61163A 上 。
外部 NMOS FET 栅极由 MCU 驱动。
当需要进行刷写操作时、外部 NMOS FET 会导通、因此会产生额外的电流
例如+30mA 相加
在 TPS61163A 上、通过 LED 灯串的灌电流(30mA)(例如总电流60mA)。
我还假设该电路具有风险、因为余量电压(IFBx 电压)将是
非常低。
在这种情况下、NMOS FET 无法在饱和区工作、因此无法正常工作
没有足够的电流控制。
此时、我想确保以下内容；
在正常运行下、余量上的电压是合理的
电压(IFBx 电压)？ 大约90mV？ 超过0.5V？
2.如果余量电压(IFBx 电压)下降正常余量电压
由于外部电路的影响、我想知道 TPS61163A 上的保护功能
从未激活？
3.如果您 对实现闪光操作有任何更好的想法，请提供您的建议。
此致、
H. Sakai
亲爱的 Caryss-San。
非常感谢您的所有建议。
我建议您使用4通道 LED 驱动器 LM36274。
他们也希望降低变更的总成本。
目前、我希望确保以下解决方案是否可以实现。
通过 MCU 使用 NMOS FET 添加2个5LED 灯串开/关控制。
电流由电阻器设置。 低电压类型将用作 NMOS FET (EM6K34)。
2.我认为这个解决方案不会影响 IFBx (余量电压)。
3、我想知道采用此解决方案对升压转换器行为有何影响？
此致、
H. Sakai
