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[参考译文] TPS1H100-Q1：关于热特性

admin
Guru**** 2493545 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/704085/tps1h100-q1-about-thermal-characteristics

器件型号：TPS1H100-Q1

您好、E2E、

我们的客户有关于 TPS1H100的一些问题。

 - 请显示瞬态热阻抗图。 (如正常 FET)
 - 请参阅随附的文件。
    在12微秒的开关时间内、此器件的功耗约为0.0002026W。 (在最扭曲的条件下进行缩放)
    热值为0.192mJ。
    请告诉我如何计算焦耳到摄氏温度的转换速率。

此致、
ACGUY

e2e.ti.com/.../TPS1H100_5F00_Tj.pdf

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    TI__Guru**** 2493545 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！

    此时不提供热阻抗图。 我们需要申请热模型、大约需要2周的时间才能生成。
    您发送的示例是功率 FET 在特定频率下切换的示例。 它显示了开关时间和导通时间期间的功率损耗的详细信息。 功率损耗 PD 使用以下公式导致结温上升至高于环境温度：TJ = Ta + THETAja x PD。
    在相对较高的频率下、结至环境热阻抗稳定。 仅在上电时轴向充足的情况下、才考虑瞬态阻抗的短时功率损耗。
    能量损耗是特定时间内功率的积分。 大约可以通过 PD = Ed/Time 的能量来计算功率。
    (这是平均近端值)。 然后、我们可以使用上面的公式来计算温度。

    此致
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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好！

    感谢你的答复。
    我就此咨询了客户。 他们需要这些信息。

    >>我们需要申请散热模型、大约需要2周时间生成。

    好的。 请。

    此致、
    ACGUY
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    TI__Guru**** 2493545 points
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    e2e.ti.com/.../TPS1H100_2D00_Q1-transient-thermal-impedance.pptxHello、

    请参阅随附的瞬态热阻抗图。

    此致

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好！

    非常感谢！
    我有一个问题。
    在热阻抗数据中、时间单位为(s)。 我认为、当导通时间超过1秒时、ZTH 会达到饱和状态。

    水平轴的单位可能是毫秒？

    此致、
    ACGUY
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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好！

    水平轴单位为秒。 根据 经验法则、瞬态热阻抗在大约200秒内达到稳定状态、但取决于封装、芯片等

    此致  

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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好！

    请告诉我测量条件。
    PCB 层数、
    铜面积、
    脉冲占空比、
    环境温度等

    此致、
    ACGUY
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    TI__Guru**** 2493545 points
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    您好！

    它是基于 JEDEC 51-4的4层电路板。 环境温度为80C、施加的功率为1W 连续。

    此致