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[参考译文] TPS92512HV:设计检查

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92512HV
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/686537/tps92512hv-design-check

器件型号:TPS92512HV

大家好、

我的客户在 以下工作 条件下使用 TPS92512HV 体验高 IC 温度:

- VIN = 45...51V

- LED - 43V、1.05A

- Fsw = 500kHz

- L = 68uH、isat = 2A

我可以看到、VIN MIN 似乎离 VLED 太近、因此(嵌入式) FET 在线性区域(实际上不在 D 类中)中驱动。

降低纹波(交流损耗)也可能有所帮助。

但我想听到您的建议、假设 FSW 不能更改...

我尝试过 Webench、但似乎无法使用此部件进行设计(坦率地说、无法说出原因)

我正在考虑获取 EVM、样片等、但需要很长时间...

如果您有 PoC /类似设计来加快流程、我非常感激...

非常感谢您的参与

kr

Vincenzo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Vincenzo、您好!

    对于这样的小型器件、超过45W 的功率很大、尤其是在高占空比下、大多数功率在 FET 而不是二极管中耗散。 在这种高输入电压和开关频率下、封装中的功耗可能过高。 数据表中有功率耗散公式可用于估算该值。

    在任何情况下、较低的纹波都会有所帮助。 更多的铜用于散热将会有更多的帮助。 如果无法使温度达到合理水平、则唯一的选择是降低开关频率。 交流损耗与开关频率成正比、因此这会产生很大的影响。 遗憾的是、交流损耗也与 VIN^2成正比、因此在像这样的高输入电压应用中、如果散热不够、这是唯一的选择。

    对于这个功率水平和输入电压、如果500kHz 是一个硬性要求、那么采用更大封装的另一个器件或者一个控制器将是一个更好的选择。

    此致、

    克林特