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[参考译文] 4V t0 3.3V LDO 建议

admin
Guru**** 2390775 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV757P, TPS746, TLV759P

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/685447/4v-t0-3-3v-ldo-suggestion

主题中讨论的其他器件：TLV757P、 TPS746、 TLV759P

请建议使用以下规格的 LDO

输入电压4V

2.输出电压3.3V

最大输出电流= 1A

4.-40°C 至85°C

效率：-最佳

低成本

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    TI__Guru**** 2390775 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kunal、

    LDO 的效率由余量(Vin - Vout)决定。  在 LDO 中、输入电流等于输出电流加上接地电流；因此、LDO 的效率计算如下：

    效率=(100 x Vout x Iout)/(Vin x (Iout + Ignd))

    由于 Ignd << Iout、该方程式通常简化为不包含 Ignd：

    效率=(100 x Vout x Iout)/(Vin x Iout)= 100 x Vin / Vout

    如您所见、提高 LDO 效率的主要方法是减小余量。  Ignd 越低、效率就越低。

    我们有一个参数搜索功能、可帮助缩小我们庞大的 LDO 产品系列。  我已经在 这里输入了您所说的信息。  如您所见、我们有170个符合您的一般标准的 LDO；但是、如果您添加1ku 价格和 Iq (Iq 为 Ignd、无负载)的搜索功能、TLV757P 似乎是适合您应用的理想选择。

    非常尊重、

    Ryan

  • 0
    TI__Guru**** 2390775 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Ryan

    感谢您的响应、我看到对于 SON 封装、TLV757P 的热参数为100.2C/W。 因此，如果我假设输出电流为600mA，那么 LDO 的功耗将为=(4V-3.3V)*600mA = 420mW。 TJj 将= 85C (环境温度)+ 100.2*0.420W= 127C、它是否太热？
  • 0
    TI__Guru**** 2390775 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Kunal、

    您可以正确地知道、热性能是一个问题；但是、还必须记住、热性能也取决于气流和电路板布局等因素。 TLV757P 可能适合您的应用。 TI 提供的热指标基于 JEDEC Hi-K 电路板。 如需了解更多相关信息、请参阅应用报告、该报告位于我们所有热性能信息表的以下链接中：

    www.ti.com/.../spra953c.pdf

    返回参数搜索、您会发现热阻也是一个可用于筛选的参数。 TLV759P 和 TPS746的热阻比 TLV757P 低、可为您提供额外的热裕度。

    非常尊重、
    Ryan