[参考译文] LM3409HV：分流 FET 开关振铃。

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器件型号：LM3409HV
主题中讨论的其他器件： LM3409

我将 LM3409HV 用作模块化面板驱动器。这意味着您可以使用不同的规格(从11-22V 到什么不是)向输出添加不同的 LED。
首先、让我知道、如果通过该芯片允许不同的堆栈电压最终会带来麻烦、因为现在是这样。我想知道我是否应该切换到另一个芯片。

但重要的问题是、当我使用 FET 调光时、当 N 沟道栅极变为低电平时、输出电压会振铃并大幅上升。

任何帮助都是极好的、你们是否有任何关于哪些常见修复的建议、

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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Matthew、您好！

LM3409旨在适应不同的输出电压、因此不会产生任何问题。只需进行设计、即可获得50%占空比(或最接近50%占空比的负载)下将使用的最大开关频率。

分流 FET 调光的噪声和尖峰是一个常见问题。我的建议是：

首先、确保您没有使用输出电容器。听起来不是这样、否则可能会损坏分流 FET。

其次、最大限度地减小寄生电感。在 LED 负载和分流 FET 之间使用尽可能短的走线。理想情况下、FET 直接位于 LED 旁边、而不是直接位于稳压器旁边(假设稳压器和 LED 之间有一定的距离)。如果可能、最好尽可能减小 LED 负载本身的电感。例如、如果您有一串 LED 将它们与正向电流迹线连接在一起、然后将返回电流迹线直接路由到正向电流迹线旁边、以最大程度地减少它产生的环路。对于返回接地的 LM3409、良好的接地层也将起作用。

最后、如果最大限度地减小寄生效应还不够(通常情况下不是如此)、则应在分流 FET 上放置一个 RC 缓冲器。需要根据负载的寄生效应对其进行调整。

此致、

克林特

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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嗨、克林顿！

为了向您提供更多信息、

它具有12-33V 输入、LED 堆叠电压范围为12v 至24V、并且系统已到位、不允许堆叠电压超过 Vin 的 LED。

但在我们的使用中、用户必须能够在带电时(断电时)交换 LED、因此它不能在 ROFF 或电感器发生变化的情况下工作。我们正在尝试使用平均值进行计算、这就是我认为芯片可能是一个难题的原因。

我们没有输出电容器、但我们以前损坏了分流 FET、在某些情况下、尖峰高达80V、其电压为60V FET、我们未来将考虑100V 或更高的 FET。

用户 LED 可在 LED 和驱动器之间使用长电缆、因此距离可在1英尺到~10英尺之间变化。

我将再次尝试 nFET 上的缓冲器、看看它是否有用、我们可能只需要对低端进行模拟调光和 EN 引脚调光、而不是模拟和 FET 调光、我想尝试使用 FET 调光、因为我们需要 LED 在弱光条件下工作、并且需要与高速摄像头配合使用、因此我使用的 FET 调光频率为100kHz、但我可能必须在类似20kHz 的频率下进行 EN 调光、使 EN 不产生可闻噪声或在更高频率运行(如果不是任何其他建议)的任何方法。

Matt

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2618835 points

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Matt、您好！

负载和输入变化不应带来任何麻烦、该器件在这方面表现良好。此外、如果尖峰在其他情况下不是问题、那么更高电压的 FET 也可以解决问题。但我知道您的问题、我研究了一些第一个并联 FET 调光稳压器、尖峰可能很大。假设 v=LDI/dt、您可以看到、使用如此快的边沿、不需要太多的寄生电感来产生巨大的电压尖峰。 1英尺到10英尺无疑会非常重要。缓冲器会产生巨大的影响、如果您需要高频率、值得一试。

EN 调光也是另一个选项。在这种情况下、寄生效应并不那么重要。您可以使用输出电容器来补偿寄生效应、也可以不使用输出电容、然后寄生效应只是您已在使用的电感器的一个附加组件。正如您提到的、模拟调光和 PWM 调光组合也是一个选项。 EN 调光也可以在100kHz 下工作、但线性度不会像分流 FET 调光那样好、但这可能不是问题、具体取决于您的特定应用。但是、即使是可闻频率也可以通过仔细选择电容器和电感器来使用、您也不会听到它的声音(假设它对于您的高速摄像头来说仍然足够快)。

此致、

克林特

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[参考译文] LM3409HV：分流 FET 开关振铃。