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[参考译文] BQ24610：从 VBAT 损坏 MOSFET 和 BQ24610升压

admin
Guru**** 2595800 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24610, BQ24610EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/701645/bq24610-boost-from-vbat-damage-mosfet-and-bq24610

器件型号：BQ24610

您好、先生、

如果电池组的插入或移除 测试、则我们的客户产品会出现 BTST 10R/REGN 肖特基/低侧 MOSFET 损坏问题、

此问题 是否与 CE 序列相关？ 我们的客户 CE 是用于检测电池的链接。

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    TI__Guru**** 2595800 points
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    您好 Hugo、

    您能否展示 bq24610连接的完整原理图？  

    您是否还可以捕获电池插入时的故障？

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    TI__Guru**** 2595800 points
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    e2e.ti.com/.../GC603_5F00_R13_5F00_DSN.pdf

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    TI__Guru**** 2595800 points
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    您好、先生、

    请您为我共享您的邮箱地址、

    CH1 =高侧栅极

    CH2 =低侧栅极

    CH3 =相位

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    TI__Guru**** 2595800 points
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    bq24610 IC 是否损坏？ 还是仅 BTST 10R/REGN 肖特基/低侧 MOSFET 受损？
    电池插电时的波形是否为？ 为什么未连接电源时低侧栅极为高电平？
    此外、0402 BTST 电阻器占用空间太小。 建议更改为0603。
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    TI__Guru**** 2595800 points
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    您好、先生、

    我们现在将与客户进行核实。

    Hugo
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    TI__Guru**** 2595800 points
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    您好、先生、

    损坏的部件有 BQ24610 PIN18和引脚19短路、  BTST 10R=1K (损坏)、REGN 肖特基=短路(损坏)、低侧(损坏)

    19V 时、最大输出电压中的电池插头 ADP。

    我们可以看到、TI BQ24610EVM REGN 肖特基使用 的是 ZLLS350 连续正向电流 380mA、

    但客户是 D4=RB751V (M)-40 (TE17)/SOD-323平均整流正向电流 30mA、电平 损坏是否太小 D4？

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    TI__Guru**** 2595800 points
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    您好、先生、

    我们将更改 D4=1N4148改进此问题、插入或移除电池组的次数超过100次、不会损坏任何组件、

    我可以与您再次确认吗？
    D4的最大电流值是多少？
    什么是 BQ24610内部6V LDO IO 最大电流？

    Hugo
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    TI__Guru**** 2595800 points
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    此处的 REGN 通过在 REGN 和 BTST 之间连接一个小信号肖特基二极管、用于低侧驱动器和高侧驱动器自举电压。
    电流与6V LDO 输出能力无关。 D4二极管用于将电荷从 REGN 电容转移到 BTST 电容。