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器件型号：LM5117 大家好、 我在未经任何修改的情况下测试了 LM5117 EVM、波特图与增益裕度：5.32dB 和相位裕度：27.10deg 的放电图不符合环路要求。 然后 、我测试了一个新的 LM5117 EVM、波特图如下所示、增益裕度：17.87dB 和相位裕度：59.93deg。 我使用这两个 EVM 板进行了检查、唯一的区别是470uF 输出电容器、比较如下。 对于 LM5117 EVM 上的470uF 输出电容器、BOM 中为 NICHICON 、PCG1C471MCL1GS、数据表显示它是一个实心电容。 但在我测试过的旧 EVM 中、电容器 具有防爆压降、 这在电解电容器上很常见。 在新的 EVM 上、电容器是不 带缩进的实心电容器、用于防爆保护。
我不确定 EVM 板上是否有相同规格的电容器？
我测试 了电解电容和实心电容的 ESR、 使用计算器和 WEBENCH 调整更高的 ESR 来研究这种影响、以验证我的假设：输出电容的更高 ESR 会使 LM5117 EVM 的补偿不符合要求。 需要降低 Rcomp 以降低穿越频率以补偿更改的零点。 然后、增益裕度从8.9dB 上升到17dB、相位裕度从37deg 上升到58.4deg、以满足要求。
