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[参考译文] TPS25750:关于 VRECHG 并生成 BIN 文件

Guru**** 2618835 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ25792, TPS25750

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1181485/tps25750-about-vrechg-and-generating-bin-file

器件型号:TPS25750
主题中讨论的其他器件:BQ25792

大家好、

 

我知道您还没有更新新的 GUI。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1133736/faq-when-i-configured-the-usb-pd-chg-evm-01-using-the-online-application-customization-tool-the-pd-controller-isn-t-communicating-correctly-with-the-bq25792-fixed

 

因此、我们希望请求生成新的 bin 文件。

我有两个问题。

 

----

[第1季度]

它们具有以下线程问题,原因尚未完全确定。

(这由 Tommy-san 脱机处理。)

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1169579/tps25750-about-combination-of-tps25750-and-bq25792/4427912#4427912

 

如果我们使用4节电池(16.8V)、我知道建议的 VRECHG 为400mV。

(我们参考数据表12页的 VRECHG。)

但是、我们的客户希望将 VRECHG 值更改为800mV。

(他们不知道此更改是否可以解决问题、但他们想尝试一些东西。)

 

我可以将其更改为800mV 吗?

----

 

[第2季度]

是否可以在 GUI 中设置 VRECHG 更改?

如果是、能否生成新的 bin 文件?

我将于明天向您发送设置。

 

而且、我们的客户有急事。

是否可以在12月23日前生成 bin 文件?

 

非常感谢您的验证。

----

 

此致、

隐藏

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    Hide-San、

    我正在与 Tommy 合作解决此配置问题、我们将在本周结束时提供。 请尽快将客户设置发送给我们、以便我们可以开始构建。  

    谢谢、此致、

    林德华

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    大家好、Raymond San、

     

    我将向您发送他们的设置。

    请参阅随附的文件。

     

    以将 VRECHG 设置为800mV

     

    -已将中断设置添加到 GPIO10

     他们提到了以下 E2E。

     https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1138199/tps25750-i2cs_irq-not-pulling-low/4375029?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPS25750%20IRQ#4375029

     e2e.ti.com/.../E2E_5F00_EEEPROM-Setting_5F00_221219.xlsx

    此致、

    隐藏

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    Hide-San、

    Raymond 将于周四返回办公室。

    此致。

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    大家好、Tommy-San、

    请您持续提供支持。

    此致、

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    Hide-San、

    我将在12月22日之前退职。

    此致

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    Raymond San、

    感谢您的始终如一的支持。

    我正在等待您的 bin 文件。

    此致、

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    Hide-San、

    请根据上述要求查找随附的完整闪存二进制文件:

    1.仅灌电流应用(高达100W)

    默认灌电流 PDO (5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/5A)

    3 16.8V 电池充电电压、1.6A 电池充电电流、0.04A 充电终止电流和0.32A 预充电电流。  

    GPIO10被配置为 I2C_IRQ

    5.在 BQ25792的寄存器0x0A 中将 VRCH 设置为800mV

    谢谢、此致、
    林德华

    全闪存二进制文件: e2e.ti.com/.../Hide_5F00_FullFlash_5F00_12_2D00_23_2D00_2022.bin

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    大家好、Raymond San、

    感谢您的回答。

    我将向我们的客户报告此 bin 文件。

    顺便说一下、 我听说 Tommy 也要求您创建一个400mV bin 文件。

    您是否计划为400mV 版本创建 BIN 文件?

    如果我被误解了、我很抱歉。

    此致、

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    Hide-San、

    请使用下面的二进制文件进行一些其他更改。

    400mV 再充电阈值: e2e.ti.com/.../HIde_5F00_FF_5F00_4S400mV_5F00_20221223.bin

    800mV 再充电阈值: e2e.ti.com/.../HIde_5F00_FF_5F00_4S800mV_5F00_20221223.bin

    此致。

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    大家好、Tommy-San、

     

    感谢您的回答。

     

    您要更改 GUI 中的哪些项目来更改 VRECHG?

     

    顺便说一下、我了解 VECHG 在 GUI 中不可配置。

    因此、如果我们要更改此值、我们需要咨询您的团队

    我的理解是否正确?

     

    此致、

    隐藏

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    大家好、Tommy-San、

     

    它们使用您的 BIN 文件、但 VRECHG 保持200mV (不是400mV 和800mV)。

    是否可以再次检查文件设置?

     

    您是否还可以进行以下更正?

     

    ------

    中断屏蔽 I2C1 (0x16)的"[26]状态已更新"仅为"Hex:0x1 Int:1"。

    其他所有 I2C1 (0x16)寄存器的中断屏蔽都是"十六进制:0x0 int:0"。

     

    他们希望将"灌电流 PDO"的数量从4更改为5以及 PDO4和 PDO5设置。

    ・[0:3]是5。

    μ・灌电流 PDO4为20V/2.25V 设置、因此[104:114]为2.25。

    μ・灌电流 PDO5为20V/3A 设置、因此[136:146]为3、[146:156]为20。

    ------

     e2e.ti.com/.../EEPROM-Setting_5F00_20221226.xlsx

    此致、

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    Hide-San、

    由于节假日、我们将在12月28日恢复正常运行。 感谢您的耐心等待!  

    谢谢、此致、

    林德华

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    大家好、Raymond San、

    我期待您的回复。

    此致、

    隐藏

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    大家好、Raymond San、

     

    由于使用了"FF_4S800mV_20221223.bin"、确认了"直通模式"的异常行为。

    以前的 bin 文件没有出现此问题。

     

    您能否共享正确的 bin 文件、包括他们的需求?

     

    [异常行为]

    案例1

    仅使用电池启动(非 VBUS)、然后应用 VBUS。

    因此、"直通模式"失败。

     

    案例2

    使用电池和 VBUS 启动、然后移除 VBUS。

    结果、"直通模式"成功。

    但是、然后应用 VBUS、"直通模式"失败

     

    我们正在极大地痛苦。

    非常感谢您的验证。

     

    此致、

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    Hide-San、

    由于假期原因、TI E2E 设计支持论坛的回复可能会延迟至1月3日。 该团队预计将于12月28日返回。
    感谢您的耐心等待。

    此致、

    Rohit Parashar。  

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    Hide-San、

    在我致力于修复二进制文件的过程中、您能帮助澄清几个方面:  

    1.对于寄存器0x16 (中断屏蔽 I2C1)、客户是否仅希望启用"状态更新"并且禁用所有其他功能?  

    2.请确认以下5个灌电流 PDO 以及是否需要进行任何更正:5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/2.25A 和20V/3A

    3.您能否澄清"直通模式"失败的问题? 当 VBUS 存在时、客户是否无法使用 I2C 直通读取 BQ 寄存器?  

    4.我注意到客户将 Q3 (所需的灌电流功率)设置为100W (20V)、但最大灌电流 PDO 为20V/3A (60W)。 他们的器件将消耗的最大功率是多少?  

    谢谢、此致、

    林德华

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    大家好、Raymond San、

     

    答案已添加如下。

     

    1. 对于寄存器0x16 (中断屏蔽 I2C1)、客户是否仅希望启用"状态更新"并且禁用所有其他功能?

    =>是的,你的理解是正确的。

     

    1. 请确认以下5个灌电流 PDO 以及是否需要进行任何更正:5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/2.25A 和20V/3A

      =>没有变化。

     

    1. 您能否澄清"直通模式"故障的问题? 当 VBUS 存在时、客户是否无法使用 I2C 直通读取 BQ 寄存器?

     =>详细信息是[异常行为]。

    …发生故障、则响应为0x40和0x30 μ s。 顺便说一下、0x30是任务被拒绝的

    以前的 bin 文件(7723_Config.bin)没有出现此问题。

      因此、我认为新 bin 文件(FF_4S800mV_20221223.bin)或内部生成工具的设置有问题。

     

    1. 我注意到客户将 Q3 (所需的灌电流功率)设置为100W (20V)、但最大灌电流 PDO 为20V/3A (60W)。 他们的器件将消耗的最大功率是多少?

      =>很抱歉让你感到困惑。 最大功率为60W。

        因此、它们希望设置5个灌电流 PDO (5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/2.25A 和20V/3A)。

        如果您有任何配置问题、请告诉我们吗?

     

    此致、

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    Hide-San、

    请查找随附的完整闪存二进制文件、其中 VRCH 设置为400mV 和800mV。 对于这两个文件、我包括:

    5个5V/3A、9V/3A、15/3A、20V/2.25A 和20V/3A 灌电流 PDO

    2. GPIO 10重新配置为 I2C1_IRQ

    I2C1的中断屏蔽使能状态更新(寄存器0x16中的位26)、所有其他中断被禁用

    包含了在硬复位、上电复位、断开和 UU/UD 连接期间配置 BQ25792中寄存器0x0A 的 I2C 事件:0xE7为400mV、0xEF 为800mV (寄存器说明请参阅下文):

    400mV:  

    800mV:  

    谢谢、此致、
    林德华

    400mV: e2e.ti.com/.../400mV_5F00_FullFlash.bin

    800mV: e2e.ti.com/.../800mV_5F00_FullFlash.bin

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    大家好、Raymond San、

    感谢您的始终如一的支持和 快速回复。

    我将向我们的客户报告您的 bin 文件。

    此致、

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    Hide-San、

    在测试期间、请告知我们客户是否有任何其他问题!

    谢谢、此致、

    林德华

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    大家好、Raymond San、

     

    我们的客户使用了您的 bin 文件。

    但是、TPS25750和 BQ25792未按预期工作。

     

    -由于使用 bin 文件、确认了"直通模式"的异常行为。

    VBUS 为15/5A、因此会发生故障。 预期行为为20V/2.25A

    -VRECHG 为200mV、因此未更改任何设置

     

    以前的 bin 文件(7723_Config.bin)没有出现此问题。

    我们认为直通模式是异常行为、因此您的工具很旧、因此存在一个众所周知的错误

    我的理解是否正确?

     

    如果否、您能否告知我们此原因并生成正确的 bin 文件?

    希望您能及时答复。

     

    此致、

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    大家好、Raymond San

     

    我报告其他信息。

    我们的客户通过版本7.0.4生成了 bin 文件。

    因此、可以使用直通模式。

    但是、VBUS 为15/5A、因此它会发生故障。 预期行为为20V/2.25A”。

     

    顺便说一下,“7723_Config.bin”可以吸收20V/2.25A 的电流。

    您能告诉我们7723_Config.bin 的灌电流 PDO 设置吗?

    另外,您是否知道 ver7.0.4的 bin 文件无法接收20V/2.25A 的原因?

     

    此致、

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    Hide-San、

    让我和 Tommy-San 一起研究这个 问题、我们将从最后开始进行一些测试/验证、以调试这个问题。  

     在启动和 PDO 协商期间、您可以帮助收集 PD 和 BQ 之间的 I2C 日志吗?

    谢谢、此致、

    林德华

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    大家好、Raymond San、

     您需要哪些具体信息?

    下面是我得到7723_Config.bin时的线程。

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1164427/tps25750-about-version-7-0-4-gui

     

    然后、我认为 ver7.0.4也有一个错误。

    但是,“7723_Config.bin是正确的行为,因此我认为此问题已得到解决。

    如果该版本的 v7.0.4仍然存在、是否有更新 GUI (v7.0.4至 v7.0.5)的计划?

     

    我们的客户非常担心、他们的评估时间越来越短。

    如果您能在明天之前回复、那将会非常有帮助。

     

    此致、

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    Hide-San、

    我们希望在 系统启动 和 PDO 协商/转换期间获取 TPS25750和 BQ25792之间的 I2C 日志(通过逻辑分析仪收集、例如 Saleae)、并在系统启动和  PDO 协商/转换后获取 BQ25792寄存器值。 由于您提到 VRECH 未更改、我怀疑 I2C 通信/配置可能存在一些问题。

    我们将在最后再次检查、看看我们的一方是否出现此问题。

    此致。  

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    大家好、Raymond San、

     

    我将在收到新信息后再次与您联系。

     

    我还有其他问题。

    我们知道我无法通过 GUI 设置 VRECHG。

    但是、他们需要一个可以即时更改在 GUI 中设置的环境。

     

    ----

    [第1季度]

    如果它们使用7723_Config.bin,则“直通模式”和“灌电流20V/2.25A”是正确的行为。

    而且,如果它们使用版本7.0.4生成的 bin 文件,则“直通模式”行为正确,“灌电流20V/2.25A”不正确。

    因此,改进了“直通模式”,但版本7.0.4无法设置“灌电流20V/2.25A”。

     

    因此,他们希望使用 v7.0.4生成7723_Config.bin 配置。

    您能告诉我们7723_Config.bin 的灌电流 PDO 设置和其他设置吗?

     

    我们想知道7723_Config.bin 为什么改进了"灌电流20V/2.25A "。

    ----

     

    [第2季度]

    他们希望尝试[Q1]操作。

    但是,如果7723_Config.bin 具有无法使用 GUI 设置的条件(例如 GUI 程序等),则我们认为无法实现。

    [Q1]中的操作是否毫无意义?

    ----

     

    [第3季度]

    我知道 GUI 无法设置 VRECHG,但我认为如果 GUI 反映7723_Config.bin 的操作,那将是最佳选择。

    您无法使用此信息更新 GUI 的任何原因?

    ----

     

    此致、

    隐藏

     

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    Hide-San、

    请检查消息。

    此致

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    大家好、Tommy-San、

     

    感谢您的始终如一的支持。

    我向您发送了一封私人邮件。

    如果你能在今天之前作出答复,那将会非常有帮助。

     

    此致、

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    在我们脱机时关闭该线程