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[参考译文] OCD/SCD 阈值问题

Guru**** 2496595 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76930

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/714607/ocd-scd-threshold-value-problem

主题中讨论的其他器件:BQ76930

我使用 TI 76930 AFE。
Rsense 为1m Ω。
我将 AFE OCD 和 SCD 阈值设置为89mV 和111mV。


当电流为78A 左右时、AFE OCD 位被置位、D_FET 关闭。
当电流为89A 左右时、设置 AFE SCD 位并关闭 D_FET。

当电流不超过 OCD/SCD 阈值时、AFE OCD/SCD 如何工作?

谢谢

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    您好、Matt、
    检查 PROTECT3寄存器0x08。 请确保保留的位3:0为0。 数据表的一些早期修订版显示了复位值为0x08、这会导致一些编程人员将位3置位。 如果发生这种情况、电流阈值将按照您描述的方式降低。 请使用最新的数据表。
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    您好!
    针对寄存器 PROTECT3 (0x08)
    我将 UV_D1、UV_D0、OV_D1、OV_D0设置为0、并读取 PROTECT3 (0x08)寄存器、寄存器位全部为0、而不是0x08。
    因此、问题可能不是由这种情况引起的
    有什么建议吗?

    谢谢
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    您好、Matt、
    如果寄存器设置正确、则问题必须在其他地方。
    查看感应电阻器两端的电压、电阻焊料两端的电压以及电阻器之间的电压、以及到感应滤波器的走线在高电流路径上的分支位置。 引线和焊接电阻可能很大。 还要查看 IC 上感应引脚的电压。
    问题不在于寄存器设置、如果问题不在于电路板/元件电阻、则必须损坏器件、因为容差仅为10%、您会看到更像是20%。
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    尊敬的  

    很抱歉,我找不到您,您能更清楚地描述一下吗?您是否有任何文档描述了这一点?

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    您好、Frank、

    应使用尽可能靠近感应电阻器的"Kelvin"连接来连接感应电阻器。  这避免了由流经寄生电阻的电流导致的电压贡献到 bq76930所见的感应电压。  在此图中、bq76930将感测电压 Idischarge x (Rsense + Rsolder1 + Rsolder2 + Rtrace1 + Rtrace2)。

    将感测走线布置到焊垫将消除走线电阻的影响。  在这个改进的连接中、bq76930将感测电压 Idischarge x (Rsense + Rsolder1 + Rsolder2)。  电阻器仍必须焊接到电路板上。

    有4个端子感应电阻器、可避免测量阻焊电阻两端的电压。 这些不太常见。  高电流仍会导致高电流路径中的压降、但感测连接位于电阻器封装中、而单独的端子为低电流、不会出现压降。

    检查您的布局并在系统上进行测量、以查看您是否可以找到额外的电压。

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    尊敬的 WM5295

    感谢您的解释、与我们的 EE 和布局团队讨论后、我们在布局中使用了"kelvin"连接  

    您可以参考下图。

    您对这个问题有其他想法了  

    谢谢

      

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    尊敬的 WM5295
    是否有任何方法可以消除 Rsolder1和 Rsolder2效应?

    谢谢
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    您好、Frank、
    他们似乎在布局方面做得很好。 我不知道许多并联电阻器的影响、我不知道我们使用了超过3个电阻器。 SENSE 连接在连接点拾取总线电压。
    我对焊接电阻的理解是、它相对于组件值应该很小、因此它不会影响。 多个并联电阻器应该有助于实现这一点。 4端子电阻器也有助于实现这一点、但不适用于并联电阻器。 在较大的范围内、存在机械分流器、其中感应引线连接到感应材料的单溶层部分、例如汇流条上的导线。 这是4端子电阻器的大型版本。
    您的电路板组装人员可能知道是否有不同的焊料或工艺或体积的调整、从而提供更低或更一致的阻焊。
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    您好、WM5295、
    SCD 寄存器设置代码如下:
    该 SCD 寄存器设置是否正确、符合 AFE SCD 111A 阈值?


    bms.para.scd_delay = 0;//#define SCD_DELAY_70us 0x0
    bms.para.scd_thresh = 3;//#define SCD_THRESH_111mV_56mV 3.
    bms.para.rsns = 1;

    register.Protect1.Protect1BIT.SCD_DELAY = BMS.para.SCD_DELAY;
    register.Protect1.Protect1BIT.SCD_THRESH = BMS.para.SCD_THRESH;
    Registers.Protect1.Protect1BIT.RSNS = BMS.para.rsns;

    HAL_I2C_Mem_Write_TI_CRC8 (&h2c、I2C_ADDR_WRITE、PROTECT1、1、&register.Protect1.Protect1字节、 0x1、I2C_TIMEOUT)

    谢谢
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    您好、Matt、
    根据您对 Protect1Bit 位置的定义、我认为它是正确的。 确保汇编的 Protect1Byte 值最终为0x83以进行所需设置、并且该值最终位于 bq76930的寄存器0x06中