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[参考译文] LM5122-Q1：原理图中关于二极管

admin
Guru**** 2496595 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/723835/lm5122-q1-about-diode-in-schematic

器件型号：LM5122-Q1

尊敬的支持团队

我对 TIDA01520有疑问。

www.tij.co.jp/.../tida-01520

(1)连接 D1的目的是什么？
(我认为目的是防止负载电流破坏高侧 FET。)

(2)我的客户遇到 LS FET 被销毁的问题。
据说，如果删除 D1，将不会销毁它。
您是否曾遇到过这样的问题？

此致

永川体野郎

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    TI__Guru**** 2496595 points
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    您好、Tomohiro、

    放置 D1以降低 MOSFET 的死区时间功率耗散。 在死区时间内、高侧开关的体二极管导通、但压降非常高。 当放置外部二极管时、压降会减小、功率耗散会减小。 外部二极管还具有更快的反向恢复时间、这有助于减少开关节点的振铃。

    我以前从未见过这种情况。 我建议减少 R11或添加与 R11并联的二极管。 添加二极管可实现慢速导通和快速关断。

    谢谢、

    Garrett
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    TI__Guru**** 2496595 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Garrett - San

    感谢您的详细解释。

    我要求客户获取波形。  

    此致

    永川体野郎