This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5085:电流限制低于设计值

Guru**** 2496595 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5085

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/723599/lm5085-current-limit-lower-than-designed

器件型号:LM5085

我尝试使用 LM5085来限制通过烧断线的电流和电压、当施加电流时、该器件会在海水中腐蚀。 负载是纯阻性的、但电阻会因水温、盐度和其他因素而变化。 此应用与 CC/CV 电池充电器非常相似。

这里是我的原理图和快速入门电子表格。 我的手算与快速入门非常一致。 我将使用专用的感应电阻器和减少的纹波配置。

我将在26V 输入下进行测试、并且没有负载或7.5欧姆固定电阻器。 示波器位于 PGATE 上。

无负载:导通时间非常接近标称值2547ns、关断时间很长。 输出电压20.1伏、电流0安。

7.5 Ω 负载:导通时间相同、关断时间~30us。 输出电压约为3.75伏、电流为0.5安。

关断时间过长、导致电流低于所需电流。 根据数据表、关断时间应约为8us。

我尝试更改 RSEN 和 RADJ 的值、即使 RSEN 为0欧姆、也无法获得超过0.5安培的电流。 关闭时间不会低于30us。 我可以将电流减小到低于0.5安、例如、RSEN = 75 m Ω、RADJ = 2.2k、提供的电流为0.25安。

有什么建议吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    David、

    您可以共享您的布局吗? 奇怪的是、0欧姆的 RSEN 仍会将 IOUT 保持在0.5A 以下。 布局可能与此相关。

    Sam
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Sam、

    这是我的布局。 再仔细研究一下、我不喜欢 PGATE 在 RSEN 下运行。 我想知道这是否与问题相关...

    戴维

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、

    您必须重做此布局才能使电路正常工作。 制作此电路板时、您是否参考了数据表布局指南?

    当前布局的重大问题:

    • 没有 GND 平面。 您的高 di/dt 环路(CIN 至 FET、通过 L 至 COUT 返回至 CIN)必须经过这些长而细的布线。 具有较大环路面积的长细布线会产生电感、从而导致振铃/过冲、进而导致调节不良。
    • C6看起来可能未连接到大输入电压迹线。
    • C1可翻转180度以直接连接到 VIN 迹线、然后 GND 能够直接向下连接到 IC 引脚。
    • FB 分压器应靠近 IC、而不是靠近 VOUT。 这样、长布线上的任何噪声都将位于低阻抗 VOUT 布线上、而不是高阻抗/噪声敏感型 FB 布线上。
    • 等等...

    根据我的经验、最佳做法是使用 EVM 作为元件放置的通用指南。 然后使用数据表根据您的情况进行微调。

    Sam

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Sam、我重新做了板、并将给它另一个机会。 我还切换到了 EVM 使用的最小纹波配置。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、

    瞬态路径中仍然有大环路。

    • 当 SW 变为高电平时、您将从 CIN+-> RSEN -> Q1 -> L1 -> COUT+-> COUT--> CIN-中拉出大量电流
    • 当 SW 变为低电平时、您将从 COUT-->D1 -> L1 -> COUT+中拉出大量电流

    CIN 电容器远离环路。 D1 GND 电流必须经过过孔两次才能到达任何位置。 这样会增加环路的大小。

    阅读数据表中的布局指南。 尽量遵循这些要求。

    Sam