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[参考译文] BQ76940：启动 PCB 时遇到一些问题、请帮我解决！

admin
Guru**** 2492385 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76940

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/700941/bq76940-i-have-few-problems-when-bringup-my-pcb-please-help-me

器件型号：BQ76940

我有一个 BQ76940项目。 它监控14节电池、最大电压为59V。

 

我有2个问题：

-有时、CHG 引脚(引脚2)死了。 我不控制它(DSG 仍然正常)。 为什么它死了？

-关于 SCD 阈值、当 IC 满足 SCD 阈值时、MOSFET DSG 死区。 我使用了3个 DSG MOSFET、它仅死区1个 MOSFET (2个 MOSFET 仍然有效)。

 我在 DSH 引脚和电容器47nF D->G 之间添加了100欧姆电阻器、但仍然死了。

请给我一些建议。

谢谢

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    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好 Nguyen。
    对于 CHG 引脚损坏、请检查 D24或 R65上是否存在短路、或 R65上是否存在允许过多电流进入 CHG 引脚的低电平值。 检查损坏的电路板是否有错误、在良好的电路板上测量是否存在过载情况。
    对于放电 FET、当 FET 并联且其中一个 FET 关断时、负载会转移到另一个 FET。 一些并联时的 FET 会在开关期间振荡、从而导致发热和故障。 为了避免这种情况、有时建议在每个栅极中使用一个与共模电阻或铁氧体磁珠相比较小的电阻。 布线或功率耗散差异也会对布局产生影响。 一旦一个 FET 发生短路、应力就会释放到其他未损坏的 FET 上。 您可以咨询同事、讲师、参考手册或 FET 供应商的代表、了解如何处理并联 FET 或与该器件型号相关的任何特定部件。 使用较低电流测量 FET 开关信号可能会显示一种情况、需要纠正该情况才能承受较高的电流。
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    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的支持。

    我将再次检查。

    关于 Rsense、现在我使用了3个电阻器3m Ω 并联(=1m Ω)。 遵循 EVK、我使用滤波器 RC、R=100欧姆、C=0.1uF、但 OCD 阈值不正确。

    我设置50A、但它达到了30-34A 的 OCD

    请给我一些建议。

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    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Nguyen：
    请注意并检查电阻器的容差。 如果批次在较大容差的高端运行、则到达 IC 跳变点所需的电流将更小。
    检查从电流路径到 IC 引脚滤波器的感测导线布线。 电路将感应到电流路径。 如果电路板上有电阻、则会增加有效感应电阻。 还应考虑阻焊。
    检查 PROTECT3的寄存器设置。 早期数据表中的复位值有一个拼写错误、导致一些用户将保留位3设置为1。 这会导致在较低的电压(电流)下提供保护。 保留位不应置位。 请务必使用最新的数据表。

    还要注意数据表中电流保护阈值的容差。   虽然不是典型值、但 OCSCALEERR 可能为10%。

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    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    谢谢你

     为了执行一些其他 功能 、我添加了1个电阻器100K (R83)、如图所示、 是否存在问题？

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    TI__Guru**** 2492385 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Nguyen：
    R83在 FET 周围创建泄漏路径、因此 FET 无法阻止电流流动。 虽然 R83会降低电流、但可能无法充分防止过充或过放电。 过度充电通常是一个更大的问题、但请检查您的系统要求。